Отрывок: Микродефекты – дефекты, имеющие крайне малый размер, вызваны низкой плотностью дислокаций при выращивании кристалла. Они имеют место быть в кристаллах произведенных двумя методами – Чохралького и БЗП. Также есть два вида микродефектов, а именно А-дефекты, обладающие большими 17 размерами, чем В-дефекты, которые находятся в глубине кристалла. И В-дефекты, располагающиеся по всему объему кристалла [7]. 1.4...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorДоценко Д. А.ru
dc.contributor.authorАрхипов А. В.ru
dc.contributor.authorЛофицкий И. В.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatialмонокристаллический кремнийru
dc.coverage.spatialаморфный кремнийru
dc.coverage.spatialполикристаллический кремнийru
dc.coverage.spatialфототокru
dc.coverage.spatialсолнечные элементыru
dc.coverage.spatialсолнечные батареиru
dc.creatorДоценко Д. А.ru
dc.date.issued2018ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20180718142759ru
dc.identifier.citationДоценко, Д. А. Исследование свойств элементов солнечных батарей различной структуры : вып. квалификац. работа по спец. "Электроника и наноэлектроника" / Д. А. Доценко ; рук. работы А. В. Архипов; рец. И. В. Лофицкий ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и элек. - Самара, 2018. - on-lineru
dc.description.abstractОбъектом исследования являются выходные характеристики солнечных элементов на основе кремния.Цель работы – выведение зависимостей напряжения от угла падения излучения различной длины волны для солнечных элементов на основе поли-, монокристаллического и аморфного кремния.В процессе работы были использованы теоретические данные и данные о физических процессах, протекающих в панелях.В результате работы получены зависимости напряжений на выходе панелей различной структуры от угла падения излучения и предложено их обоснование.Значимость работы заключается в том, что предложенный вариант расчета предполагаемого значения напряжения опирается не на ВАХ, а на крутизну ватт-амперной характеристики и на характеристики самого излучения.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 1,6 Мб)ru
dc.titleИсследование свойств элементов солнечных батарей различной структурыru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti44.41ru
dc.subject.udc621.383.56ru
dc.textpartМикродефекты – дефекты, имеющие крайне малый размер, вызваны низкой плотностью дислокаций при выращивании кристалла. Они имеют место быть в кристаллах произведенных двумя методами – Чохралького и БЗП. Также есть два вида микродефектов, а именно А-дефекты, обладающие большими 17 размерами, чем В-дефекты, которые находятся в глубине кристалла. И В-дефекты, располагающиеся по всему объему кристалла [7]. 1.4...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.