Отрывок: Микродефекты – дефекты, имеющие крайне малый размер, вызваны низкой плотностью дислокаций при выращивании кристалла. Они имеют место быть в кристаллах произведенных двумя методами – Чохралького и БЗП. Также есть два вида микродефектов, а именно А-дефекты, обладающие большими 17 размерами, чем В-дефекты, которые находятся в глубине кристалла. И В-дефекты, располагающиеся по всему объему кристалла [7]. 1.4...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Доценко Д. А. | ru |
dc.contributor.author | Архипов А. В. | ru |
dc.contributor.author | Лофицкий И. В. | ru |
dc.contributor.author | Министерство образования и науки Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.contributor.author | Институт информатики | ru |
dc.contributor.author | математики и электроники | ru |
dc.coverage.spatial | монокристаллический кремний | ru |
dc.coverage.spatial | аморфный кремний | ru |
dc.coverage.spatial | поликристаллический кремний | ru |
dc.coverage.spatial | фототок | ru |
dc.coverage.spatial | солнечные элементы | ru |
dc.coverage.spatial | солнечные батареи | ru |
dc.creator | Доценко Д. А. | ru |
dc.date.issued | 2018 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20180718142759 | ru |
dc.identifier.citation | Доценко, Д. А. Исследование свойств элементов солнечных батарей различной структуры : вып. квалификац. работа по спец. "Электроника и наноэлектроника" / Д. А. Доценко ; рук. работы А. В. Архипов; рец. И. В. Лофицкий ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и элек. - Самара, 2018. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Объектом исследования являются выходные характеристики солнечных элементов на основе кремния.Цель работы – выведение зависимостей напряжения от угла падения излучения различной длины волны для солнечных элементов на основе поли-, монокристаллического и аморфного кремния.В процессе работы были использованы теоретические данные и данные о физических процессах, протекающих в панелях.В результате работы получены зависимости напряжений на выходе панелей различной структуры от угла падения излучения и предложено их обоснование.Значимость работы заключается в том, что предложенный вариант расчета предполагаемого значения напряжения опирается не на ВАХ, а на крутизну ватт-амперной характеристики и на характеристики самого излучения. | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 1,6 Мб) | ru |
dc.title | Исследование свойств элементов солнечных батарей различной структуры | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 44.41 | ru |
dc.subject.udc | 621.383.56 | ru |
dc.textpart | Микродефекты – дефекты, имеющие крайне малый размер, вызваны низкой плотностью дислокаций при выращивании кристалла. Они имеют место быть в кристаллах произведенных двумя методами – Чохралького и БЗП. Также есть два вида микродефектов, а именно А-дефекты, обладающие большими 17 размерами, чем В-дефекты, которые находятся в глубине кристалла. И В-дефекты, располагающиеся по всему объему кристалла [7]. 1.4... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Доценко_Дмитрий_Анатольевич_Исследование_свойств_элементов_солнечных.pdf | 1.69 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.