Отрывок: 37 Рисунок 18 – Схема выпучивания элемента фланца В элементе под действием внешних контурных сил, расположенных в плоскости 𝑢𝑣, на определенной стадии вытяжки создается однородное сжато- растянутое напряженное состояние, характеризуемое соотношениями [10]: 𝜎𝑢 < 0, 𝜎𝑣 ≥ 0 ...
Название : Исследование процесса вытяжки деталей сферической формы в штампе с упругими матрицей и прижимом
Авторы/Редакторы : Дикуша А. А.
Нестеренко Е. С.
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Институт ракетно-космической техники
Дата публикации : 2020
Библиографическое описание : Дикуша, А. А. Исследование процесса вытяжки деталей сферической формы в штампе с упругими матрицей и прижимом : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 22.04.02 "Металлургия" (уровень магистратуры) / А. А. Дикуша ; рук. работы Е. С. Нестеренко ; нормоконтролер Е. С. Нестеренко ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т ракет.-ко. - Самара, 2020. - on-line
Аннотация : Объект исследования – процесс вытяжки полусферы с широкимфланцем.Цель работы – изучение процесса вытяжки тонкостенныхосесимметрических деталей сферической формы с широким фланцем.В процессе работы использовалась инженерная методика расчета.В результате работы определено, что напряжения возникающие впроцессе вытяжки не превышают допустимых значений, определенамаксимальная разнотолщинность на фланце, рассчитаны геометрическиепараметры штамповой оснастки.Эффективность работы заключается в определении технологическихпараметров процесса вытяжки сферических деталей с широким фланцем иопределении оптимальных размеров штамповой оснастки.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20201201094440
Ключевые слова: упругое кольцо
упругие матрицы
технологические процессы
штампы
вытяжка деталей сферической формы
листовая штамповка
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.