Отрывок: величина тока, который протекает через p-n-переход (то есть через диод) зависит от приложенного к нему напряжения V´ согласно следующему выражению: 𝐼𝐼д = 𝐼𝐼0(𝑒𝑒𝑞𝑞𝑉𝑉` 𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴� − 1) (8) Подставляя выражение () в (), получим: 𝐼𝐼д = 𝐼𝐼0 �𝑒𝑒𝑞𝑞𝑉𝑉` 𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴� − 1� = 𝐼𝐼д = 𝐼𝐼0(𝑒𝑒𝑞𝑞(𝑉𝑉−𝐼𝐼𝑅𝑅п)/𝐴𝐴𝑛𝑛𝑛𝑛 − 1) (9) Величину тока, протекающего через элемент Rш, можно получить воспользовавшись законом Ома и выражением (): 𝐼𝐼ш = 𝑉𝑉`𝑅𝑅ш = 𝑉𝑉−𝐼...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorШишканов А. А.ru
dc.contributor.authorКарпеев С. В.ru
dc.contributor.authorШишкина Д. А.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatialMATLAB/SIMULINKru
dc.coverage.spatialвольтамперные характеристикиru
dc.coverage.spatialнаноструктуры кремнияru
dc.coverage.spatialсолнечные модулиru
dc.coverage.spatialсолнечные элементыru
dc.coverage.spatialфотоэлектрические характеристикиru
dc.creatorШишканов А. А.ru
dc.date.issued2021ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20210914154831ru
dc.identifier.citationШишканов, А. А. Исследование фотоэлектрических характеристик солнечного элемента с наноструктурами кремния : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / А. А. Шишканов ; рук. работы С. В. Карпеев ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики,. - Самара, 2021. - on-lineru
dc.description.abstractОбъектом исследования являются солнечные элементы снаноструктурами кремния.Целью работы является разработка модели для исследованияфотоэлектрических характеристик солнечного элемента с пористымкремнием.В результате работы были изучены различные модели и методымоделирования солнечного элемента, построены графики воль-амперной ивольт-ватной характеристики.Результаты данной дипломной работы могут быть использованы дляизучения деградации солнечных элементов в космосе.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 0,0 Мб)ru
dc.titleИсследование фотоэлектрических характеристик солнечного элемента с наноструктурами кремнияru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.29ru
dc.subject.udc539.1ru
dc.textpartвеличина тока, который протекает через p-n-переход (то есть через диод) зависит от приложенного к нему напряжения V´ согласно следующему выражению: 𝐼𝐼д = 𝐼𝐼0(𝑒𝑒𝑞𝑞𝑉𝑉` 𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴� − 1) (8) Подставляя выражение () в (), получим: 𝐼𝐼д = 𝐼𝐼0 �𝑒𝑒𝑞𝑞𝑉𝑉` 𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴� − 1� = 𝐼𝐼д = 𝐼𝐼0(𝑒𝑒𝑞𝑞(𝑉𝑉−𝐼𝐼𝑅𝑅п)/𝐴𝐴𝑛𝑛𝑛𝑛 − 1) (9) Величину тока, протекающего через элемент Rш, можно получить воспользовавшись законом Ома и выражением (): 𝐼𝐼ш = 𝑉𝑉`𝑅𝑅ш = 𝑉𝑉−𝐼...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Шишканов_Андрей_Александрович_Исследование_фотоэлектрических_характеристик_солнечного.pdf1.01 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.