Отрывок: д.), которые формируются в порах при анодном электрохимическом травлении кристаллического кремния. Для увеличения фоточувствительности ФЭП в длинноволновой части спектра используются специальные диэлектрические покрытия из фторидов редкоземельных элементов (Р3Э). В этих материалах наблюдается эффект перепоглощения, он состоит в том, что несколько фотонов, энергия которых меньше ширины запрещенной зоны кремния поглощаются в диэлектрическом слое Р3Э, при этом возбуждаются л...
Название : Характеристики и параметры ФЭП на базе пористого кремния
Авторы/Редакторы : Фролов А. В.
Латухина Н. В.
Зайцев В. В.
Министерство образования и науки России
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Дата публикации : 2017
Библиографическое описание : Фролов, А. В. Характеристики и параметры ФЭП на базе пористого кремния : вып. квалификац. работа [по направлению "Физика"] / А. В Фролов ; науч. рук. Н. В. Латухина ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физ. фак., Каф. радиофизики, полупроводниковой микро- и наноэлектроники. - Самара, 2017. - on-line
Аннотация : Диплом включает в себя 40 страниц, 24 рисунка, 5 таблиц, 18 литературных источников.Объектом исследования являются фоточувствительные гетероструктуры c карбидом кремния и пористым слоем на монокристаллической подложке кремния.Цель – оценить возможность использования в качестве широкозонных материалов ФЭП пористого кремния и карбида кремния.Использование карбида кремния и пористого слоя кремния позволяет расширить общую область спектральной чувствительности в более коротковолновую часть спектра.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20190419160302
Ключевые слова: фоточувствительные гетероструктуры
широкозонные материалы
монокристаллические подложки кремния
карбид кремния
гетероструктуры
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.