Отрывок: Такая ситуация имеет место в области основного поглощения для полупроводниковых материалов с любой 20 концентрацией примесей и носителей заряда, а для сильнолегированных полупроводников и полуметаллов – во всей области спектра. Определить n и k при любом соотношении их величин можно...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorРябенкова О. В.ru
dc.contributor.authorЩербак А. В.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorЕстественнонаучный институтru
dc.coverage.spatialкарбид кремнияru
dc.coverage.spatialметод эндотаксииru
dc.creatorРябенкова О. В.ru
dc.date.issued2023ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20230728134131ru
dc.identifier.citationРябенкова, О. В. Фотоэлектрические и оптические свойства структур карбида кремния на кремнии, получаемых методом эндотаксии : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 Физика (уровень бакалавриата), направленность (профиль) «Физика» / О. В. Рябенкова ; рук. работы А. В. Щербак ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. физики тв. - Самара, 2023. - 1 файл (2,0 Мб). - Текст : электронныйru
dc.description.abstractВыпускная работа включает в себя 41 страниц, 3 главы, введение, заключение, 20 рисунков, 36 литературных источника. Объектом исследования являются структуры карбида кремния на кремнии, получаемые методом эндотаксии. Предметом исследования являются фотоэлектрические и оптические параметры исследуемых структур. Цель данной работы: экспериментально определить оптические и фотоэлектрические свойства структур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии. В первой главе рассмотрены способы получения как объемных образцов карбида кремния, так и в виде пленок карбида кремния на кремниевых подложках. Подробно рассмотрен метод эндотаксии, используемый в данной работе. Вторая глава посвящена методам определения оптических параметров полупроводников и структур. В третьей главе представлены результаты определения оптических параметров структур карбид кремния на кремнии. Результаты данной работы могут быть использованы в области разработки полупроводниковых микроэлектронных приборов для экстремальной электрониru
dc.titleФотоэлектрические и оптические свойства структур карбида кремния на кремнии, получаемых методом эндотаксииru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.01ru
dc.subject.udc538.9ru
dc.textpartТакая ситуация имеет место в области основного поглощения для полупроводниковых материалов с любой 20 концентрацией примесей и носителей заряда, а для сильнолегированных полупроводников и полуметаллов – во всей области спектра. Определить n и k при любом соотношении их величин можно...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Рябенкова_Олеся_Витальевна_Фотоэлектрические_оптические_свойства.pdf2.07 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.