Отрывок: Что приводит к переходу молекулы SiF4 или SiHF3 в раствор и восстановлением исходного состояния гидророванной поверхности. Вариации этого подхода сводятся к вопросу о локализации образования молекулярного водорода — непосредственно на поверхности кристалла (для иллюстрации модели всегда выбирается поверхность (100), терминированная группами SiН2) ил...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorПеребалин Р. А.ru
dc.contributor.authorКарпеев С. В.ru
dc.contributor.authorШишкина Д. А.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatialкремниевые нанонитиru
dc.coverage.spatialнаноструктурированный кремнийru
dc.coverage.spatialнапылениеru
dc.coverage.spatialпористый кремнийru
dc.coverage.spatialструктуры с пористым кремниемru
dc.coverage.spatialтравлениеru
dc.coverage.spatialфоточувствительностьru
dc.coverage.spatialфотоэлектрические характеристикиru
dc.creatorПеребалин Р. А.ru
dc.date.issued2021ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20210914114415ru
dc.identifier.citationПеребалин, Р. А. Фотоэлектрические характеристики структур с пористым кремнием, полученным разными способами : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / Р. А. Перебалин ; рук. работы С. В. Карпеев ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики,. - Самара, 2021. - on-lineru
dc.description.abstractОбъектом исследования в данной работе являются фоточувствительные структуры с наноструктурированным кремнием. Цель работы - исследование фотоэлектрических характеристик фоточувствительных структур с пористым кремнием.В результате проведения эксперимента были получены фоточувствительные структуры с пористым кремнием тремя разными методами. На основе результатов, полученных в ходе работы, был сделан вывод о практической значимости пористого слоя на поверхности кремниевой пластины в фоточувствительных структурах.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 3,2 Мб)ru
dc.titleФотоэлектрические характеристики структур с пористым кремнием, полученным разными способамиru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.29ru
dc.subject.udc539.1ru
dc.textpartЧто приводит к переходу молекулы SiF4 или SiHF3 в раствор и восстановлением исходного состояния гидророванной поверхности. Вариации этого подхода сводятся к вопросу о локализации образования молекулярного водорода — непосредственно на поверхности кристалла (для иллюстрации модели всегда выбирается поверхность (100), терминированная группами SiН2) ил...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Перебалин_Роман_Андреевич_Фотоэлектрические_характеристики_структур.pdf3.23 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.