Отрывок: 1.2, а. Конденсатор, изображенный пунктиром, представляет собой емкость между ВЧ электродом и его экраном. Его можно рассматривать как часть согласующей схемы. Однако на практике этот конденсатор имеет довольно низкую добротность, если экран расположен очень близко к ВЧ электроду, то могут иметь место большие потери мощности. Часто в схему согласования...
Название : Электрофизические параметры структур карбид кремния на поликоре на сверхвысоких частотах
Авторы/Редакторы : Танеев А. В.
Щербак А. В.
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Естественнонаучный институт
Дата публикации : 2021
Библиографическое описание : Танеев, А. В. Электрофизические параметры структур карбид кремния на поликоре на сверхвысоких частотах : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 "Физика" (уровень бакалавриата). - Текст : электронный / А. В. Танеев ; рук. работы А. В. Щербак ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак-т, Каф. физики тверд. - Самара, 2021. - 1 файл ( 1,64 Мб)
Аннотация : Выпускная работа включает в себя 50 страниц, 3 главы, введение, заключение, 29 рисунков, 47 литературных источников. Объектом исследования являются структуры карбид кремния на кремнии и карбид кремния на поликоре, получаемых ВЧ магнетронного распыления. Предметом исследования являются электрофизические параметры исследуемых структур. Цель данной работы: экспериментально определить удельное сопротивление и подвижность носителей заряда тонких пленок карбида кремния на поликоре в области сверхвысоких частот (10 ГГц). В первой главе рассмотрены свойства и некоторые методы получения тонкопленочных структур карбида кремния. Вторая глава посвящена методам исследования электрофизических параметров полупроводниковых материалов на сверхвысоких частотах. В третьей главе представлены результаты исследования структур карбид кремния на поликоре. Результаты данной работы могут быть использованы в области разработки полупроводниковых приборов экстремальной электроники и аэрокосмического приборостроения, предназначенных для р
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20210924142100
Ключевые слова: карбид кремния
магнетронное распыление
пленочные структуры
полупроводники
радиоэлектрический эффект
рентгенофазовый анализ
сверхвысокие частоты
СВЧ волны
электрофизические параметры
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Танеев_Антон_Витальевич_Электрофизические_параметры_структур_карбид.pdf1.68 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.