Отрывок: Во-вторых, на рис. 12 показано, как увеличиваются значения сопротивлений на еди- ницу площади пленок в нормальных состояниях после отжигов. Сопротивление растет вме- сте с ростом температур отжигов. Из полученной вольт-амперной характеристики после отжигов при высоких температурах, видно,...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorМоисеева К. А.ru
dc.contributor.authorЦирова И. С.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorЕстественнонаучный институтru
dc.coverage.spatialбаллистический транспортru
dc.coverage.spatialметод ассоциативных алгебрru
dc.creatorМоисеева К. А.ru
dc.date.accessioned2023-10-02 15:23:48-
dc.date.available2023-10-02 15:23:48-
dc.date.issued2023ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20230728140530ru
dc.identifier.citationМоисеева, К. А. Баллистический транспорт в методе ассоциативных алгебр : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.04.02 Физика (уровень магистратура), направленность (профиль) "Физика квантовых систем" / К. А. Моисеева ; рук. работы И. С. Цирова; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т),Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. общ. и теоре. - Самара, 2023. - 1 файл (6,87 Мб). - Текст : электронныйru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Ballisticheskii-transport-v-metode-associativnyh-algebr-105649-
dc.description.abstractЦель работы: расчет транспортных свойств квантовой нити в методе ассоциативных алгебр. В работе получены следующие результаты: 1. Построена модель баллистической квантовой нити в рамках метода ассоциативных алгебр с использованием метода разветвленных решений Зоммерфельда. Модель содержит свободный параметр, характеризующий наличие рассеивателя в баллистическом проводнике 2. Проведен расчет одноканальной проводимости методом Ландауэра - Буттикера в построенной модели. Показано, что модель допускает осцилляции проводимости баллистического проводника. 3. Проведено исследование зависимости характера осцилляций от свойств рассеивателя в баллистическом проводнике. Показано влияние рассеивателя на частоту осцилляций. 4. Исследована зависимость осцилляций проводимости от эффективной массы электрона в материале квантовой нити. Показано, что с увеличением эффективной массы электронов в кристалле точки деструктивной интерференции смещаются в область меньших энергий. 5. Построена локальная плотность состояний и проведенru
dc.titleБаллистический транспорт в методе ассоциативных алгебрru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.05.23ru
dc.subject.udc530.145ru
dc.textpartВо-вторых, на рис. 12 показано, как увеличиваются значения сопротивлений на еди- ницу площади пленок в нормальных состояниях после отжигов. Сопротивление растет вме- сте с ростом температур отжигов. Из полученной вольт-амперной характеристики после отжигов при высоких температурах, видно,...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.