Отрывок: Но в данной ситуации это только облегчает задачу подбора оптимальной текстуры, т.к. количество возможных вариантов при этом возрастает. Для осуществления указанного перехода представим ориентационные факторы в виде: Д _ V р A W i u v w ) ( Л i , {hkl}{uvw) i ’ W {hkl}(uvw) где P{hu}{uvw) * вес°вая доля компоненты {hk...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorГречников, Ф.В.-
dc.contributor.authorЗайцев, В.М.-
dc.date.accessioned2017-06-16 16:24:11-
dc.date.available2017-06-16 16:24:11-
dc.date.issued1998-
dc.identifierDspace\SGAU\20170616\64571ru
dc.identifier.citationГречников, Ф. В. Определение текстуры для формирования анизотропии механических свойств листовых материалов / Ф. В. Гречников, В. М. Зайцев // Проблемы и перспективы развития двигателестроения / Самар. гос. аэрокосм. ун-т; [Гл. ред. Е. В. Шахматов]. – Самара : СГАУ, 1998. – Вып. 2, ч. 1. – С. 155-159.ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Vestnik-SGAU-Problemy-i-perspektivy-razvitiya-dvigatelestroeniya/Opredelenie-tekstury-dlya-formirovaniya-anizotropii-mehanicheskih-svoistv-listovyh-materialov-64571-
dc.language.isorusru
dc.publisherСГАУru
dc.subjectанизотропные материалыru
dc.subjectобработка давлениемru
dc.subjectзаданные показатели анизотропииru
dc.subjectметодика расчета многокомпонентной кристаллографической текстурыru
dc.titleОпределение текстуры для формирования анизотропии механических свойств листовых материаловru
dc.typeArticleru
dc.textpartНо в данной ситуации это только облегчает задачу подбора оптимальной текстуры, т.к. количество возможных вариантов при этом возрастает. Для осуществления указанного перехода представим ориентационные факторы в виде: Д _ V р A W i u v w ) ( Л i , {hkl}{uvw) i ’ W {hkl}(uvw) где P{hu}{uvw) * вес°вая доля компоненты {hk...-
Располагается в коллекциях: Вестник СГАУ. Проблемы и перспективы развития двигателестроения

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
dv_1998_155-159.pdfОсновная статья2.07 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.