Отрывок: . UAt) где y 3(t) = --------- , YK(t) - —-— , (pr - температурный потенциал. <Рг <Рт 1 X Wo Рисунок 1 - Изменение ширины W(t) базы 11 Подстановкой p ( x , t ) — е 2 ■ e Ki • B ( x , t ) + р & • е ах, (3) где к = -D . f 2 1 ^а 1 1— у 4 4V Р J уравнение (1) приводим к пр...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorДмитриев, В.Д.-
dc.contributor.authorПишулина, Н.П.-
dc.contributor.authorПак, В.Т.-
dc.date.accessioned2017-10-26 12:25:30-
dc.date.available2017-10-26 12:25:30-
dc.date.issued2004-
dc.identifierDspace\SGAU\20170921\65388ru
dc.identifier.citationДмитриев, В. Д. Сведение уравнения переноса носителей заряда транзистора к системе интегральных уравнений / В. Д. Дмитриев, Н. П. Пишулина, В. Т. Пак // Актуальные проблемы радиоэлектроники / Самар. гос. аэрокосм. ун-т. – Самара : СГАУ, 2004. – Вып. 9. – С. 9-12.ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Vestnik-SGAU-Aktualnye-problemy-radioelektroniki/Svedenie-uravneniya-perenosa-nositelei-zaryada-tranzistora-k-sisteme-integralnyh-uravnenii-65388-
dc.language.isorusru
dc.publisherСГАУru
dc.subjectсистема интегральных уравненийru
dc.subjectбиполярный транзисторru
dc.titleСведение уравнения переноса носителей заряда транзистора к системе интегральных уравненийru
dc.typeArticleru
dc.textpart. UAt) где y 3(t) = --------- , YK(t) - —-— , (pr - температурный потенциал. <Рг <Рт 1 X Wo Рисунок 1 - Изменение ширины W(t) базы 11 Подстановкой p ( x , t ) — е 2 ■ e Ki • B ( x , t ) + р & • е ах, (3) где к = -D . f 2 1 ^а 1 1— у 4 4V Р J уравнение (1) приводим к пр...-
dc.classindex.udc621.396-
Располагается в коллекциях: Вестник СГАУ. Актуальные проблемы радиоэлектроники

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
apr_2004_2.pdfОсновная статья1.46 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.