Отрывок: Большинство перечисленных элементов присутствуют в сканирующем электронном микроскопе (СЭМ). В штатном режиме СЭМ выполняет построчное ...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Васильева Э. М. | ru |
dc.contributor.author | Тукмаков К. Н. | ru |
dc.contributor.author | Лофицкий И. В. | ru |
dc.contributor.author | Министерство образования и науки Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.contributor.author | Институт информатики | ru |
dc.contributor.author | математики и электроники | ru |
dc.coverage.spatial | ток пучка | ru |
dc.coverage.spatial | позитивный резист | ru |
dc.coverage.spatial | экспонирование | ru |
dc.coverage.spatial | электронно-лучевая литография | ru |
dc.coverage.spatial | сканирующий электронный микроскоп | ru |
dc.coverage.spatial | доза экспонирования | ru |
dc.creator | Васильева Э. М. | ru |
dc.date.issued | 2017 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20171214154133 | ru |
dc.identifier.citation | Васильева, Э. М. Оптимизация технологии электронной литографии для изготовления трехмерных структур в объеме полиметилметакрилата : вып. квалификац. работа по спец. "Электроника и наноэлектроника" / Э. М. Васильева ; рук. работы К. Н. Тукмаков; рец. И. В. Лофицкий ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Фак-т электроники и приборострое. - Самара, 2017. - on-line | ru |
dc.description.abstract | В данной работе рассматриваются вопросы, связанные с отработкойпроцесса электронно-лучевой литографии и создания трехмерной тестовойструктуры.Цель работы – оптимизировать параметры процесса электронно-лучевойлитографии и на основании проведенной работы изготовить трехмернуютестовую структуру, подобрав оптимальное время проявления резиста и дозуэкспонирования.Исследованы основные процессы электронной литографии, ее аппаратноеобеспечение и проблемы, возникающие в процессе создания структур.Оптимизирован процесс электронной литографии для нанесения рисунка наслой резиста ПММА.Разработана тестовая трехмерная структура, изготовленная на подложкеиз кремния. Подобран позитивный резист для проведения электронно-лучевойлитографии. Определена оптимальная доза экспонирования при даннойтолщине резиста. | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 1,2 Мб) | ru |
dc.title | Оптимизация технологии электронной литографии для изготовления трехмерных структур в объеме полиметилметакрилата | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.59.49 | ru |
dc.subject.udc | 621.382 | ru |
dc.textpart | Большинство перечисленных элементов присутствуют в сканирующем электронном микроскопе (СЭМ). В штатном режиме СЭМ выполняет построчное ... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Васильева_Элина_Михайловна_Оптимизация_технологии_электронной_литографии.pdf | 1.22 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.