Отрывок: Большинство перечисленных элементов присутствуют в сканирующем электронном микроскопе (СЭМ). В штатном режиме СЭМ выполняет построчное ...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorВасильева Э. М.ru
dc.contributor.authorТукмаков К. Н.ru
dc.contributor.authorЛофицкий И. В.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatialток пучкаru
dc.coverage.spatialпозитивный резистru
dc.coverage.spatialэкспонированиеru
dc.coverage.spatialэлектронно-лучевая литографияru
dc.coverage.spatialсканирующий электронный микроскопru
dc.coverage.spatialдоза экспонированияru
dc.creatorВасильева Э. М.ru
dc.date.issued2017ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20171214154133ru
dc.identifier.citationВасильева, Э. М. Оптимизация технологии электронной литографии для изготовления трехмерных структур в объеме полиметилметакрилата : вып. квалификац. работа по спец. "Электроника и наноэлектроника" / Э. М. Васильева ; рук. работы К. Н. Тукмаков; рец. И. В. Лофицкий ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Фак-т электроники и приборострое. - Самара, 2017. - on-lineru
dc.description.abstractВ данной работе рассматриваются вопросы, связанные с отработкойпроцесса электронно-лучевой литографии и создания трехмерной тестовойструктуры.Цель работы – оптимизировать параметры процесса электронно-лучевойлитографии и на основании проведенной работы изготовить трехмернуютестовую структуру, подобрав оптимальное время проявления резиста и дозуэкспонирования.Исследованы основные процессы электронной литографии, ее аппаратноеобеспечение и проблемы, возникающие в процессе создания структур.Оптимизирован процесс электронной литографии для нанесения рисунка наслой резиста ПММА.Разработана тестовая трехмерная структура, изготовленная на подложкеиз кремния. Подобран позитивный резист для проведения электронно-лучевойлитографии. Определена оптимальная доза экспонирования при даннойтолщине резиста.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 1,2 Мб)ru
dc.titleОптимизация технологии электронной литографии для изготовления трехмерных структур в объеме полиметилметакрилатаru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.59.49ru
dc.subject.udc621.382ru
dc.textpartБольшинство перечисленных элементов присутствуют в сканирующем электронном микроскопе (СЭМ). В штатном режиме СЭМ выполняет построчное ...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Васильева_Элина_Михайловна_Оптимизация_технологии_электронной_литографии.pdf1.22 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.