Отрывок: Он и сегодня остается электронным резистом с наилучшим разрешением. Наиболее часто используется ПММА с высоким молекулярным весом (496К или 950К) в растворе хлорбензола или анизоли. ПММА наносится на подложку с помощью центрифугирования, а затем отжигается в термошкафу в течение 18 30 минут, либо 15 минут на хотплэйте при температуре от 130 до 170°С. Электронный пучок разрушает связи в п...
Название : Оптимизация технологии электронной литографии для изготовления шаблона на основе металлических пленок
Авторы/Редакторы : Красавина Е. И.
Тукмаков К. Н.
Лофицкий И. В.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Институт информатики
математики и электроники
Дата публикации : 2017
Библиографическое описание : Красавина, Е. И. Оптимизация технологии электронной литографии для изготовления шаблона на основе металлических пленок : вып. квалификац. работа по спец. "Электроника и наноэлектроника" / Е. И. Красавина ; рук. работы К. Н. Тукмаков; рец. И. В. Лофицкий ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и э. - Самара, 2017. - on-line
Аннотация : В данной работе рассматриваются вопросы, связанные с отработкой процесса электронно-лучевой литографии и создания шаблона на основе металлической пленки.Цель работы – оптимизировать параметры процесса электронно-лучевой литографии и на основании проведенного исследования изготовить шаблон на основе металлической пленки, подобрав оптимальный материал подложки, резист и время проявления.Исследованы основные процессы электронной литографии, ее аппаратное обеспечение и проблемы, возникающие в процессе создания структур. Оптимизирован процесс электронной литографии для нанесения рисунка на слой резиста ПММА.Разработана тестовая структура на алюминиевой пленке, изготовленной на подложке из боросиликатного стекла. Подобран позитивный резист для проведения электронно-лучевой литографии. Определено оптимальное время проявления при данной толщине резиста.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20171215112658
Ключевые слова: электронно-лучевая литография
экспонирование
магнетронное распыление
позитивный резист
доза экспонирования
металлическая пленка
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Красавина_Елена_Ильинична_Оптимизация_технологии_электронной_литографии.pdf1.04 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.