Отрывок: Предварительные исследования, проведенные в ходе практической реализации данного метода, показали, что характер зависимости затухания волны от проводимости можно изменять, меняя степень заполнения волновода полупроводником. С помощью теоретического анализа распространения электромагнитной волны в волноводе, можно установить оптимальную геометрию заполнения волновода полупроводником, при котором наблюдается наиболее приемлемый характер этой зависимости. ...
Название : Неразрушающий метод контроля параметров эпитаксиальных и диффузионных слоев полупроводника
Авторы/Редакторы : Блинаева А. И.
Занин В. И.
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Дата публикации : 2016
Библиографическое описание : Блинаева, А. И. Неразрушающий метод контроля параметров эпитаксиальных и диффузионных слоев полупроводника : вып. квалификац. работа по спец. "Физика" / А. И. Блинаева ; рук. работы В. И. Занин ; Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физич. фак-т, Каф. радиофизика, полупроводник. микро- и наноэлектроники. - Самара, 2016. - on-line
Аннотация : В работе исследуется резонансное рассеяние волны основного типа на полупроводниковых и полупроводниково-диэлектрических структурах конечной протяженности в прямоугольном волноводе. Показано влияние на немонотонный характер затухания электромагнитной волны
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20161117112138
Ключевые слова: прямоугольный волновод
диффузионные слои полупроводников
дифракция волны
электромагнитные волны
эпитаксиальные слои полупроводников
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.