Отрывок: Очистка подложек заключалась в промывке в щелочном растворе, выдержке в хромовом растворе H2SO4:K2CrO7 в течение 5 мин и ополаскивании в деионизованной воде. Для создания дифракционной маски применялся метод взрывной литографии (lift-off процесс) [21]. Нанесение слоя фоторезиста ФП-051К и толщиной 0,4 мкм производилось с помощью центрифугирования в два этапа: на скорости 500 об/мин длительностью 20 сек, а затем на скорости 4500 об/мин длительностью 45 сек. Сушка фоторезиста про...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorСтепанов С. И.ru
dc.contributor.authorПаранин В. Д.ru
dc.contributor.authorМатюнин С. А.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatialоксид индия-оловаru
dc.coverage.spatialэлектрооптические кристаллыru
dc.coverage.spatialэлектрооптический эффектru
dc.coverage.spatialуправляемые дифракционные решеткиru
dc.coverage.spatialтопология электродовru
dc.coverage.spatialдиаграмма направленностиru
dc.coverage.spatialниобат литияru
dc.creatorСтепанов С. И.ru
dc.date.issued2017ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20171214154919ru
dc.identifier.citationСтепанов, С. И. Изготовление и экспериментальное исследование электроуправляемой дифракционной решетки на основе проводящего оксида индия - олова : вып. квалификац. работа по спец. "Электроника и наноэлектроника" / С. И. Степанов ; рук. работы В. Д. Паранин; рец. С. А. Матюнин ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и элек. - Самара, 2017. - on-lineru
dc.description.abstractОбъектом исследования в настоящей работе являетсяэлектроуправляемая дифракционная решетка на основе электрооптическогокристалла ниобата лития X-среза и электродов из оксида индия-олова.Цель работы – изготовить и экспериментально исследоватьэлектроуправляемую дифракционную решетку на основе проводящегооксида индия-олова.Изготовлена проводящая топология ITO-решетки на поверхностиэлектрооптического кристалла ниобата лития методом «взрывнойфотолитографии» с периодом 290 мкм.Исследованы оптические характеристики формирования электродов изоксида индия-олова и показано улучшенное, до 2 раз, оптическоепропускание по сравнению с алюминиевыми электродами за счет выборатолщины, обеспечивающей оптическое просветление.Исследовано электрическое сопротивление электродов из оксидаиндия-олова и установлено снижение удельного поверхностногосопротивления с 50 Ом/кв до 26 Ом/кв при однократном атмосферномотжиге при t=250 в течение 3 мин.Исследована модуляционная характеристика и показано снижениеинтенсивности 0ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 0,9 Мб)ru
dc.titleИзготовление и экспериментальное исследование электроуправляемой дифракционной решетки на основе проводящего оксида индия - оловаru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.31ru
dc.subject.udc535ru
dc.textpartОчистка подложек заключалась в промывке в щелочном растворе, выдержке в хромовом растворе H2SO4:K2CrO7 в течение 5 мин и ополаскивании в деионизованной воде. Для создания дифракционной маски применялся метод взрывной литографии (lift-off процесс) [21]. Нанесение слоя фоторезиста ФП-051К и толщиной 0,4 мкм производилось с помощью центрифугирования в два этапа: на скорости 500 об/мин длительностью 20 сек, а затем на скорости 4500 об/мин длительностью 45 сек. Сушка фоторезиста про...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Степанов_Сергей_Иванович_Изготовление_экспериментальное_исследование.pdf883.91 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.