Отрывок: Этот механизм позволяет добиться увеличения селективности плазмохимического травления [10]. Анизотропия плазмохимического травления зависит от совокупности технологических факторов и может изменяться в значительных пределах. Основным фактором, влияющим на анизотропию ПХТ, является ионная бомбардировка. Ионы движутся перпендикулярно подложке и преимущественно воздействуют на дно структуры, их воздействие на боковые стенки минимально. Ионы...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorШурупова А. С.ru
dc.contributor.authorВолодкин Б. О.ru
dc.contributor.authorБратченко И. А.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatialиндуктивно-связанная плазмаru
dc.coverage.spatialподбор параметровru
dc.coverage.spatialанизотропное плазмохимическое травлениеru
dc.coverage.spatialBOSCH процессыru
dc.creatorШурупова А. С.ru
dc.date.issued2017ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20171214160804ru
dc.identifier.citationШурупова, А. С. Глубокое анизотропное плазмохимическое травление кремниевой подложки : вып. квалификац. работа по спец. "Электроника и наноэлектроника" / А. С. Шурупова ; рук. работы Б. О. Володкин; рец. И. А. Братченко ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и э. - Самара, 2017. - on-lineru
dc.description.abstractВ данной работе разбираются вопросы, связанные с методамианизотропного плазмохимического травления.Цель работы – разработка методов глубокого анизотропного травлениякремния.Задачи:1) Провести анализ существующих методов глубокого анизотропноготравления кремния.2) Разработать метод глубокого анизотропного травления кремния спомощью плазмохимического травления в газах C4F8 / SF6.3) Оптимизация параметров плазмохимического травления кремниядля получения необходимых параметров процесса: скорости травления,вертикальности стенок и латерального разрешения.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 2,4 Мб)ru
dc.titleГлубокое анизотропное плазмохимическое травление кремниевой подложкиru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.59.49ru
dc.subject.udc621.382ru
dc.textpartЭтот механизм позволяет добиться увеличения селективности плазмохимического травления [10]. Анизотропия плазмохимического травления зависит от совокупности технологических факторов и может изменяться в значительных пределах. Основным фактором, влияющим на анизотропию ПХТ, является ионная бомбардировка. Ионы движутся перпендикулярно подложке и преимущественно воздействуют на дно структуры, их воздействие на боковые стенки минимально. Ионы...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Шурупова_Александра_Сергеевна_Глубокое_анизатропное_плазмохическое_травление.pdf2.43 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.