Отрывок: 4. Создание светоизлучающих приборов. Особый интерес к исследованию пористого кремния возник после обнаружения достаточно эффективной фотолюминесценции. Способность пористого кремния излучать свет в видимом диапазоне при комнатной температуре даёт возможность использовать его для создания светоизлучающих приборов (светодиодов, плоских цветных дисплеев) [16]. 5. Создание световодов. Показатель преломления для пористого кремния зависит от степени по...
Название : Эндотаксия SiC на пористом кремнии
Авторы/Редакторы : Рашкина А. А.
Латухина Н. В.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Дата публикации : 2016
Библиографическое описание : Рашкина, А. А. Эндотаксия SiC на пористом кремнии : вып. квалификац. работа по спец. "Физика" / А. А. Рашкина ; рук. работы Н. В. Латухина ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физич. фак-т, Каф. радиофизика, полупроводник. микро- и. - Самара, 2016. - on-line
Аннотация : Выпускная квалификационная работа включает в себя: 40 страниц, 14 иллюстраций, 4 таблицы, 6 страниц приложения, 24 использованных источника. Объектом исследования данной работы является гетероструктура SiC на пористом кремнии. Цель работы – исследование с
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20161117113139
Ключевые слова: карбид кремния
пористый кремний
метод эндотаксии
гетероструктура SiC/Si
метод комбинационного рассеяния света
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Рашкина_Анна_Андреевна_Эндотаксия_пористом.pdf2.29 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.