Отрывок: 4. Создание светоизлучающих приборов. Особый интерес к исследованию пористого кремния возник после обнаружения достаточно эффективной фотолюминесценции. Способность пористого кремния излучать свет в видимом диапазоне при комнатной температуре даёт возможность использовать его для создания светоизлучающих приборов (светодиодов, плоских цветных дисплеев) [16]. 5. Создание световодов. Показатель преломления для пористого кремния зависит от степени по...
Название : | Эндотаксия SiC на пористом кремнии |
Авторы/Редакторы : | Рашкина А. А. Латухина Н. В. Министерство образования и науки Российской Федерации Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) |
Дата публикации : | 2016 |
Библиографическое описание : | Рашкина, А. А. Эндотаксия SiC на пористом кремнии : вып. квалификац. работа по спец. "Физика" / А. А. Рашкина ; рук. работы Н. В. Латухина ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физич. фак-т, Каф. радиофизика, полупроводник. микро- и. - Самара, 2016. - on-line |
Аннотация : | Выпускная квалификационная работа включает в себя: 40 страниц, 14 иллюстраций, 4 таблицы, 6 страниц приложения, 24 использованных источника. Объектом исследования данной работы является гетероструктура SiC на пористом кремнии. Цель работы – исследование с |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\ВКР20161117113139 |
Ключевые слова: | карбид кремния пористый кремний метод эндотаксии гетероструктура SiC/Si метод комбинационного рассеяния света |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Рашкина_Анна_Андреевна_Эндотаксия_пористом.pdf | 2.29 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.