Отрывок: Тогда, в свете принятого подхода, практическая эффективность технологии создания изделия будет всецело определяться степенью перекрытия множеств реализации Nt и Ni.. В частности, при выполнении условия Nt < NI выход годных изделий составит 100% (если исключить из рассмотрения тот случай, что множества Nt и Ni. смещены относительно друг друга). На рис. 2.6 представлено условное отображение рассмотренных выше множеств атомных реализаций Nc, Nt ...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorСаноян А. Г.ru
dc.contributor.authorКозлова И. Н.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.coverage.spatialантропогенная технологияru
dc.coverage.spatialгетерофазные системыru
dc.coverage.spatialдиаграммы атомно-молекулярных системru
dc.coverage.spatialвероятностные клеточные автоматыru
dc.coverage.spatialконцентрация атомных дефектовru
dc.coverage.spatialтермодинамическое равновесиеru
dc.creatorСаноян А. Г., Козлова И. Н.ru
dc.date.issued2017ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\406355ru
dc.identifier.citationСаноян, А. Г. Теоретические основы нанотехнологий [Электронный ресурс] : [учеб. пособие] / А. Г. Саноян, И. Н. Козлова ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т). - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2017. - on-line. - ISBN = 978-5-7883-1168-5ru
dc.identifier.isbn978-5-7883-1168-5ru
dc.description.abstractГриф.ru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.ru
dc.description.abstractТруды сотрудников Самар. ун-та (электрон. версия).ru
dc.description.abstractВ учебном пособии представлены теоретические основы нанотехнологий. Подробно рассмотрены проблематика и формальные модели нанотехнологий. Показана возможность использования вычислительных экспериментов как эффективного метода анализа технологических процессов. Пособие составлено на основании материалов, используемых в учебной практике кафедры «Наноинженерия» Самарского университета, и может быть рекомендовано студентам, аспирантам и инженерам различной отраслевой направленности, специализирующихся в области разработки нанотехнологий и устройств наноинженерии. Пособие предназначено для студентов, обучающихся по основной образовательной программе высшего образования по направлению подготовки 11.03.04 Электроника и наноэлектроника.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 2,69 Мб)ru
dc.publisherИзд-во Самар. ун-таru
dc.relation.isformatofТеоретические основы нанотехнологий [Электронный ресурс] : [учеб. пособие]ru
dc.titleТеоретические основы нанотехнологийru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.29ru
dc.subject.udc539.1(075)ru
dc.textpartТогда, в свете принятого подхода, практическая эффективность технологии создания изделия будет всецело определяться степенью перекрытия множеств реализации Nt и Ni.. В частности, при выполнении условия Nt < NI выход годных изделий составит 100% (если исключить из рассмотрения тот случай, что множества Nt и Ni. смещены относительно друг друга). На рис. 2.6 представлено условное отображение рассмотренных выше множеств атомных реализаций Nc, Nt ...-
Располагается в коллекциях: Учебные издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Саноян А.Г. Теоретические основы.pdf2.76 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.