Отрывок: Для микросхем, не содержащих конденсаторы: первый слой - резистивный; второй слой - выводы резисторов, контактные площадки, часть проводников; третий слой - диэлектрический, в местах пересечения провод­ ников; четвертый слой - оставшаяся часть проводников; пятый слой - защитный. Для микросхем с конденсаторами: первый слой - резистивный; о...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorМеркулов А. И.ru
dc.contributor.authorМеркулов В. А.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (национальный исследовательский университет)ru
dc.coverage.spatialмикроэлектроникаru
dc.coverage.spatialгибридные интегральные микросхемы (ГИМС)ru
dc.coverage.spatialинтегральные микросхемы (ИМС)ru
dc.coverage.spatialнадежность микроэлектронной аппаратурыru
dc.coverage.spatialRC-цепиru
dc.coverage.spatialконструкции ГИС СВЧru
dc.coverage.spatialперспективы развития микроэлектроникиru
dc.coverage.spatialтепловые режимы ГИСru
dc.coverage.spatialтонкопленочные резисторыru
dc.coverage.spatialтонкопленочные конденсаторы (ТПК)ru
dc.coverage.spatialрадиоэлектронные средстваru
dc.coverage.spatialполупроводниковые ИМСru
dc.creatorМеркулов А. И., Меркулов В. А.ru
dc.date.issued2013ru
dc.identifierRU/НТБ СГАУ/WALL/621.3/М 523-361383ru
dc.identifier.citationМеркулов, А. И. Основы конструирования интегральных микросхем [Электронный ресурс] : [учеб. для вузов] / А. И. Меркулов, В. А. Меркулов ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т). - Самара : [Изд-во СГАУ], 2013. - on-line. - ISBN = 978-5-7883-0925-5ru
dc.identifier.isbn978-5-7883-0925-5ru
dc.description.abstractТруды сотрудников СГАУ(электрон. версия).ru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.ru
dc.description.abstractРассмотрены основные аспекты возникновения и развития микроэлектроники. Дается представление об уровне современной микроэлектроники, ее методах, средствах, проблемах и перспективах. Обосновывается выбор материалов и конструкций тонкопленочных, толстопленоru
dc.format.extentЭлектрон. граф. дан. (1 файл : 87,7 Мбаита)ru
dc.language.isorusru
dc.publisher[Изд-во СГАУ]ru
dc.relation.isformatofОсновы конструирования интегральных микросхем [Текст] : [учеб. по направлению "Проектирование и технология электрон. средств"]ru
dc.relation.isformatofОсновы конструирования интегральных микросхем [Электронный ресурс] : [учеб. для вузов]ru
dc.titleОсновы конструирования интегральных микросхемru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.33.31ru
dc.subject.udc621.382.049.77(075)ru
dc.textpartДля микросхем, не содержащих конденсаторы: первый слой - резистивный; второй слой - выводы резисторов, контактные площадки, часть проводников; третий слой - диэлектрический, в местах пересечения провод­ ников; четвертый слой - оставшаяся часть проводников; пятый слой - защитный. Для микросхем с конденсаторами: первый слой - резистивный; о...-
Располагается в коллекциях: Учебные издания

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
Меркулов А.И. Основы конструирования.pdffrom 1C89.85 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.