Отрывок: 2.16. 188 i/T; ИТ, — > • ИТ Рис. 2.16. Температурная зависимость концентрации носителей заряда в нолунроводниках донорного тина Для пояснения температурной зависимости концентрации носите­ лей заряда в донорном полупроводнике уместно привести следующие комментарии: • область, расположенная правее точки ИТ, по оси абсцисс, ха­ рактеризует вклад в концентрацию носителей заряда от донорного уровня (см. зависимость с концентрацией донорной примеси TVa;); ...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorСаноян А. Г.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки РФru
dc.contributor.authorСамарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (национальный исследовательский университет)ru
dc.coverage.spatialнаноразмерные структурыru
dc.coverage.spatialквантовая информацияru
dc.coverage.spatialквантовая механикаru
dc.coverage.spatialквантовые компьютерыru
dc.coverage.spatialкинетика протекания процессовru
dc.coverage.spatialмагнитно-полупроводниковые спиновые нанотранзисторыru
dc.coverage.spatialинформационная теория измерительных процессовru
dc.coverage.spatialинформационная энтропияru
dc.coverage.spatialмеханизмы электрической проводимостиru
dc.coverage.spatialмикрочастицыru
dc.coverage.spatialкорпускулярно-волновой дуализмru
dc.coverage.spatialметоды анализа нанотехнологийru
dc.coverage.spatialпараметры электронных состоянийru
dc.coverage.spatialнеравновесная термодинамикаru
dc.coverage.spatialносители зарядаru
dc.coverage.spatialупорядоченность структурru
dc.coverage.spatialэлектрическая проводимость наноразмерных структурru
dc.coverage.spatialтеория электропроводности конденсированных средru
dc.coverage.spatialтеория электропроводности наноразмерных структурru
dc.coverage.spatialравновесная термодинамикаru
dc.coverage.spatialфизико-химические процессыru
dc.coverage.spatialспин микрочастицыru
dc.coverage.spatialспинтроникаru
dc.coverage.spatialстатистические методы анализаru
dc.coverage.spatialэнтропийные модели нанотехнологийru
dc.coverage.spatialэнтропийные критерии качества нанотехнологийru
dc.coverage.spatialтермодинамическая энтропияru
dc.creatorСаноян А. Г.ru
dc.date.issued2011ru
dc.identifierRU/НТБ СГАУ/WALL/539/С 186-272926ru
dc.identifier.citationСаноян, А. Г. Физико-технические основы наноинженерии [Электронный ресурс] : [учеб. пособие для вузов по направлению "Прикладные математика и физика" или по направлениям и специальностям в обл. естеств. наук, техники и технологии] / А. Г. Саноян ; М-во образования и науки РФ, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т). - Самара : [Изд-во СГАУ], 2011. - on-lineru
dc.description.abstractГриф.ru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobatru
dc.description.abstractТруды сотрудников СГАУ (электрон. версия)ru
dc.format.extentЭлектрон. текстовые дан. ( 1 файл : 2,4 Мбайтов)ru
dc.language.isorusru
dc.publisher[Изд-во СГАУ]ru
dc.relation.isformatofФизико-технические основы наноинженерии [Текст] : [учеб. пособие для вузов по направлению "Прикладные математика и физика" или по направлениям и специru
dc.relation.isformatofФизико-технические основы наноинженерии [Электронный ресурс] : [учеб. пособие для вузов по направлению "Прикладные математика и физика" или по направлru
dc.titleФизико-технические основы наноинженерииru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.29ru
dc.subject.udc539.1(075)ru
dc.textpart2.16. 188 i/T; ИТ, — > • ИТ Рис. 2.16. Температурная зависимость концентрации носителей заряда в нолунроводниках донорного тина Для пояснения температурной зависимости концентрации носите­ лей заряда в донорном полупроводнике уместно привести следующие комментарии: • область, расположенная правее точки ИТ, по оси абсцисс, ха­ рактеризует вклад в концентрацию носителей заряда от донорного уровня (см. зависимость с концентрацией донорной примеси TVa;); ...-
Располагается в коллекциях: Учебные издания

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
Саноян А.Г. Физико-технические основы.pdffrom 1C9.73 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.