Отрывок: Для более глубоких слоев отклонение от объемного значения межслоевого расстояния затухает с глубиной (часто осцилляторно). В дополнение к нормальной релаксации иногда имеет место однородное смещение верхнего слоя параллельно поверхности. В этом случае говорят о параллельной илп тангенциальной релаксации (рис. 15. б}. Она наблюдается в основном на высокоиндексных плоскостях с низкой концентрацией атомов. Рис. 15. Схематическая иллюстра...
Название : Аппаратные средства микро- и нанотехнологий
Авторы/Редакторы : Волков А. В.
Министерство образования и науки России
Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (национальный исследовательский университет)
Дата публикации : 2012
Библиографическое описание : Аппаратные средства микро- и нанотехнологий [Электронный ресурс] : науч.-образоват. модуль в системе дистанц. обучения MOODLE / Минобрнауки России, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т) ; [авт.-сост. А. В. Волков]. - Самара, 2012. - on-line
Аннотация : Используемые программы: Система дистанционного обучения.
Труды сотрудников СГАУ(электрон. версия).
Другие идентификаторы : RU/НТБ СГАУ/WALL/004/А 769-734050
Ключевые слова: нанотехнологии
микротехнологии
аппаратные средства
Располагается в коллекциях: Учебные издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Волков А. В. Аппаратные средства.pdf1.54 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.