Отрывок: е. g0 = g n0 р0, где g – постоянная ре- комбинация. Если происходит нарушение равновесия, то возникает несо- ответствие между процессами рекомбинации и генерации. Число пар, ре- комбинирующих за 1 с в единице объема, будет равно ( ) ( )o oo r r dpdn np g np n pdt dt g g æ ö- =- = - = -ç ÷ è ø , (4.17) где n и p – неравновесная концентрация электронов и дырок. На уменьшении неравновесной концентрации указывает минус в ле- вой части уравнения. Пусть свет создает допо...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorКомов А. Н.ru
dc.contributor.authorЛизункова Д. А.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (национальный исследовательский университет) (2009-2015)ru
dc.coverage.spatialвнутренняя структура твердых телru
dc.coverage.spatialзонная теория твердого телаru
dc.coverage.spatialсилы связиru
dc.coverage.spatialфизика полупроводниковой электроникиru
dc.coverage.spatialстатистическая физикаru
dc.coverage.spatialучебные изданияru
dc.coverage.spatialполупроводниковая электроникаru
dc.creatorКомов А. Н., Лизункова Д. А.ru
dc.date.issued2015ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\409767ru
dc.identifier.citationКомов, А. Н. Введение в физику полупроводниковой электроники [Электронный ресурс] : учеб. пособие / А. Н. Комов, Д. А. Лизункова ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т), Каф. радиофизики, полупроводниковой микро- и наноэлектроники. - Самара : Изд-во "Самар. ун-т", 2015. - on-lineru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.ru
dc.description.abstractУчебное пособие посвящено основным вопросам по курсу физики полупроводниковой электроники. Особое внимание уделено процессам, возникающим при взаимодействии металла и пролупроводника, а также зависимости коэффициента поглощения от длины волны. Некоторые разделы пособия существенно расширены анализом свойств полупроводниковых приборов, используемых для научных и технических приложенийв современной электронике. Предназначено для студентов физико-математических факультетов высших учебных заведений.ru
dc.description.abstractТруды сотрудников СГАУ (электрон. версия).ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 40,6 Мб)ru
dc.language.isorusru
dc.publisherИзд-во "Самар. ун-т"ru
dc.titleВведение в физику полупроводниковой электроникиru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.03ru
dc.subject.udc621.382(075)ru
dc.textpartе. g0 = g n0 р0, где g – постоянная ре- комбинация. Если происходит нарушение равновесия, то возникает несо- ответствие между процессами рекомбинации и генерации. Число пар, ре- комбинирующих за 1 с в единице объема, будет равно ( ) ( )o oo r r dpdn np g np n pdt dt g g æ ö- =- = - = -ç ÷ è ø , (4.17) где n и p – неравновесная концентрация электронов и дырок. На уменьшении неравновесной концентрации указывает минус в ле- вой части уравнения. Пусть свет создает допо...-
Располагается в коллекциях: Учебные издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Комов А.Н. Введение в физику.pdf41.66 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.