Отрывок: 4.25). На дифракционной картине соот ветствующее расстояние между побочными полосами составляет Ар. По- Интересующиеся могут найти описание обозначений, например, в [45]. 115 Глава 4 Дифракция электронов скольку в для отражений типа hOO является малой величиной, то отсюда вытекает, что . _ ah |g| р ~ (h2 + k 2 + l 2) A p ' (4.92) где Ар берется непосредственно из дифракционной картины. Образец Рис. 4.25....
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Нефедов С. А. | ru |
dc.contributor.author | Министерство образования Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский государственный университет | ru |
dc.coverage.spatial | просвечивающая электронная микроскопия | ru |
dc.coverage.spatial | ПЭМ | ru |
dc.coverage.spatial | учебные издания | ru |
dc.coverage.spatial | электронная микроскопия | ru |
dc.creator | Нефедов С. А. | ru |
dc.date.accessioned | 2024-05-03 15:04:01 | - |
dc.date.available | 2024-05-03 15:04:01 | - |
dc.date.issued | 2004 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\553433 | ru |
dc.identifier.citation | Нефедов, С. А. Основы просвечивающей электронной микроскопии : учеб. пособие / С. А. Нефедов ; М-во образования Рос. Федерации, Самар. гос. ун-т, Каф. физики твердого тела. - Самара : Самар. ун-т, 2004. - 1 файл (7,00 Мб). - ISBN = 5-86465-292-X. - Текст : электронный | ru |
dc.identifier.isbn | 5-86465-292-X | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Uchebnye-izdaniya/Osnovy-prosvechivaushei-elektronnoi-mikroskopii-109347 | - |
dc.description.abstract | Гриф. | ru |
dc.description.abstract | Используемые программы Adobe Acrobat | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников СамГУ (электрон. версия) | ru |
dc.description.abstract | Учебное пособие посвящено физическим основам метода просвечивающей электронной микроскопии и практическим приемам работы на электронных микроскопах. Оно содержит важнейшие приложения дифракции электронов, а также начала теории электронно-микроскопического контраста в кинематическом и динамическом приближениях. Сопровождается главой о приготовлении образцов для электронной микроскопии, а также таблицами реактивов химической и электрохимической полировки. В приложениях содержится полезная кристаллографическая информация. Имеются задачи и упражнения, призванные помочь усвоению учебного материала. Предназначено для студентов старших курсов физических и материаловедческих специальностей, а также аспирантов и научных работников. | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.publisher | Самар. ун-т | ru |
dc.relation.isformatof | Основы просвечивающей электронной микроскопии : учеб. пособие. - Текст : непосредственный | ru |
dc.title | Основы просвечивающей электронной микроскопии | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 29.19 | ru |
dc.subject.udc | 538.9(075) | ru |
dc.textpart | 4.25). На дифракционной картине соот ветствующее расстояние между побочными полосами составляет Ар. По- Интересующиеся могут найти описание обозначений, например, в [45]. 115 Глава 4 Дифракция электронов скольку в для отражений типа hOO является малой величиной, то отсюда вытекает, что . _ ah |g| р ~ (h2 + k 2 + l 2) A p ' (4.92) где Ар берется непосредственно из дифракционной картины. Образец Рис. 4.25.... | - |
Располагается в коллекциях: | Учебные издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
5-86465-292-X_2004.pdf | 7.14 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.