Отрывок: В частности, следует отметить тот немаловажный факт, что при изменении ширины запрещенной зоны собственного полупроводника или его температуры всего в два раза концентрация носителей заряда может измениться на несколько порядков. В примесных полупроводниках донорного типа зонная энергетическая диаграмма имеет в запрещенной зоне дополнительную узкую донорную зону, изначально...
Название : Физические основы электроники
Авторы/Редакторы : Саноян А. Г.
Министерство образования и науки России
Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (национальный исследовательский университет)
Дата публикации : 2012
Библиографическое описание : Физические основы электроники [Электронный ресурс] : науч.-образоват. модуль в системе дистанц. обучения MOODLE / Минобрнауки России, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т) ; [авт.-сост. А. Г. Саноян]. - Самара, 2012. - on-line
Аннотация : Используемые программы: Система дистанционного обучения.
Труды сотрудников СГАУ(электрон. версия).
Другие идентификаторы : RU/НТБ СГАУ/WALL/621.3/Ф 505-104179
Ключевые слова: физические основы электроники
электроника
Располагается в коллекциях: Учебные издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Саноян А. Г. Физические.pdf1.9 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.