Отрывок: Результаты нашего экспери­ мента указывает на то, что ответственными за изменение зарядового со­ стояния структур в процессе электроформовки являются основные носите­ ли из инверсионного канала на поверхности кремния. В связи с этим в ра­ боте экспериментально наблюдается тенденция роста положительного эф­ фективного заряда для структур с подложкой и-типа проводимости, и от­ ри...
Название : Механизмы деградации электрофизических характеристик МОП - структур
Авторы/Редакторы : Афанасков В.
Шалимова М. Б.
Дата публикации : 2011
Библиографическое описание : Афанасков, В. Механизмы деградации электрофизических характеристик МОП - структур / В. Афанасков ; научный руководитель М. Б. Шалимова // Сорок вторая (XLII) научная конференция студентов : 4-9 апр. 2011 г., Самара, Россия : тез. докл. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. ун-т. - Самара : Изд-во "Самар. ун-т", 2011Ч. 1: / [отв. за вып. Н. С. Комарова, Л. А. Свистунова]. - 2011. - С. 55.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\445301
Ключевые слова: МОП-структуры
диэлектрики и полупроводники
Располагается в коллекциях: Сорок вторая (XLII) научная конференция студентов

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
XLII Научная конференция-55.pdf698.72 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.