Отрывок: As key in this unit were used high-current FETs MOSFET IRFP4468PBF, which are parallel to VT1, VT2 (see Fig. 1), each such transistor is able to pass a current up to 290 A at a voltage drain - source voltage of 100 V. The control signal is applied t...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Phylonin O. V. | ru |
dc.contributor.author | Gimranov Z. I. | ru |
dc.coverage.spatial | структурная схема | ru |
dc.coverage.spatial | наноспутники | ru |
dc.coverage.spatial | микропроцессорный блок управления | ru |
dc.coverage.spatial | малогабаритные системы запуска | ru |
dc.coverage.spatial | космические спутники | ru |
dc.coverage.spatial | космические аппараты | ru |
dc.coverage.spatial | автоматизирорванные системы запуска | ru |
dc.creator | Phylonin O. V., Gimranov Z. I. | ru |
dc.date.accessioned | 2020-02-06 13:12:43 | - |
dc.date.available | 2020-02-06 13:12:43 | - |
dc.date.issued | 2014 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\434968 | ru |
dc.identifier.citation | Phylonin, O. V. Small-size micro processing system for nanosatellite separation / O. V. Phylonin, Z. I. Gimranov // Научные и технологические эксперименты на автоматических космических аппаратах и малых спутниках [Электронный ресурс] : третья междунар. конф. Рос. ак / Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т), РКЦ "Прогресс" ; [ред. : И. В. Белоконов, И. А. Кудрявцев]. - 2014. - С. 80-83 | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Nauchnye-i-tehnologicheskie-eksperimenty-na-avtomaticheskih-kosmicheskih-apparatah/Smallsize-micro-processing-system-for-nanosatellite-separation-82235 | - |
dc.language.iso | eng | ru |
dc.source | Научные и технологические эксперименты на автоматических космических аппаратах и малых спутниках [Электронный ресурс] : третья междунар. конф. Рос. акад. космонавтики им. К. Э. Циолковского и Междунар. акад. астронавтики, 9-11 сент. 2014 г., Самара, Россия : тез. докл. | ru |
dc.title | Small-size micro processing system for nanosatellite separation | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.citation.epage | 83 | ru |
dc.citation.spage | 80 | ru |
dc.textpart | As key in this unit were used high-current FETs MOSFET IRFP4468PBF, which are parallel to VT1, VT2 (see Fig. 1), each such transistor is able to pass a current up to 290 A at a voltage drain - source voltage of 100 V. The control signal is applied t... | - |
Располагается в коллекциях: | Научные и технологические эксперименты на автоматических космических аппаратах |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Научные и технологические-80-83.pdf | 197.17 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.