Отрывок: As key in this unit were used high-current FETs MOSFET IRFP4468PBF, which are parallel to VT1, VT2 (see Fig. 1), each such transistor is able to pass a current up to 290 A at a voltage drain - source voltage of 100 V. The control signal is applied t...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorPhylonin O. V.ru
dc.contributor.authorGimranov Z. I.ru
dc.coverage.spatialструктурная схемаru
dc.coverage.spatialнаноспутникиru
dc.coverage.spatialмикропроцессорный блок управленияru
dc.coverage.spatialмалогабаритные системы запускаru
dc.coverage.spatialкосмические спутникиru
dc.coverage.spatialкосмические аппаратыru
dc.coverage.spatialавтоматизирорванные системы запускаru
dc.creatorPhylonin O. V., Gimranov Z. I.ru
dc.date.accessioned2020-02-06 13:12:43-
dc.date.available2020-02-06 13:12:43-
dc.date.issued2014ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\434968ru
dc.identifier.citationPhylonin, O. V. Small-size micro processing system for nanosatellite separation / O. V. Phylonin, Z. I. Gimranov // Научные и технологические эксперименты на автоматических космических аппаратах и малых спутниках [Электронный ресурс] : третья междунар. конф. Рос. ак / Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т), РКЦ "Прогресс" ; [ред. : И. В. Белоконов, И. А. Кудрявцев]. - 2014. - С. 80-83ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Nauchnye-i-tehnologicheskie-eksperimenty-na-avtomaticheskih-kosmicheskih-apparatah/Smallsize-micro-processing-system-for-nanosatellite-separation-82235-
dc.language.isoengru
dc.sourceНаучные и технологические эксперименты на автоматических космических аппаратах и малых спутниках [Электронный ресурс] : третья междунар. конф. Рос. акад. космонавтики им. К. Э. Циолковского и Междунар. акад. астронавтики, 9-11 сент. 2014 г., Самара, Россия : тез. докл.ru
dc.titleSmall-size micro processing system for nanosatellite separationru
dc.typeTextru
dc.citation.epage83ru
dc.citation.spage80ru
dc.textpartAs key in this unit were used high-current FETs MOSFET IRFP4468PBF, which are parallel to VT1, VT2 (see Fig. 1), each such transistor is able to pass a current up to 290 A at a voltage drain - source voltage of 100 V. The control signal is applied t...-
Располагается в коллекциях: Научные и технологические эксперименты на автоматических космических аппаратах

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Научные и технологические-80-83.pdf197.17 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.