Отрывок: д. Разработанный прибор контроля параметров металлизации (ПКПМ) в комплексе с ЭВМ и с программной реализацией модели деградации позволяет оценивать время наработки на отказ тонкоплёночной металлизации интеграль ных микросхем. Работа ПКПМ основана на анализе характера изменения температуры отдельных участков тонкоплёночного проводника, в виде специально изготов ленной ...
Название : | Прибор контроля параметров металлизации интегральных микросхем |
Авторы/Редакторы : | Арефьев М. В. Тукмаков К. Н. Архипов А. В. |
Дата публикации : | 2005 |
Библиографическое описание : | Арефьев, М. В. Прибор контроля параметров металлизации интегральных микросхем / М. В. Арефьев, К. Н. Тукмаков ; науч. руководитель А. В. Архипов // VIII Королевские чтения: Всерос. молодежн. науч. конф. с междунар. участием, 4-6 окт. 2005 г. : сб. тр. / М-во образования и науки Рос. Федерации; Федер. агентство по образованию; Адм. Самар. обл.; Самар. науч. центр Рос. акад. наук; Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева; Гос. науч.-произв. ракет.- косм. центр "ЦСКБ - Прогресс"; ред. И. В. Белоконов. - Самаpа : СГАУ, 2005. - С. 238. |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\458640 |
Ключевые слова: | сильноточная металлизация интегральные микросхемы металлизация интегральных микросхем микроэлектроника параметры металлизации микросхем прибор контроля параметров металлизации приборы контроля |
Располагается в коллекциях: | Королевские чтения |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Стр. 238.pdf | 57.21 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.