Отрывок: д. Разработанный прибор контроля параметров металлизации (ПКПМ) в комплексе с ЭВМ и с программной реализацией модели деградации позволяет оценивать время наработки на отказ тонкоплёночной металлизации интеграль­ ных микросхем. Работа ПКПМ основана на анализе характера изменения температуры отдельных участков тонкоплёночного проводника, в виде специально изготов­ ленной ...
Название : Прибор контроля параметров металлизации интегральных микросхем
Авторы/Редакторы : Арефьев М. В.
Тукмаков К. Н.
Архипов А. В.
Дата публикации : 2005
Библиографическое описание : Арефьев, М. В. Прибор контроля параметров металлизации интегральных микросхем / М. В. Арефьев, К. Н. Тукмаков ; науч. руководитель А. В. Архипов // VIII Королевские чтения: Всерос. молодежн. науч. конф. с междунар. участием, 4-6 окт. 2005 г. : сб. тр. / М-во образования и науки Рос. Федерации; Федер. агентство по образованию; Адм. Самар. обл.; Самар. науч. центр Рос. акад. наук; Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева; Гос. науч.-произв. ракет.- косм. центр "ЦСКБ - Прогресс"; ред. И. В. Белоконов. - Самаpа : СГАУ, 2005. - С. 238.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\458640
Ключевые слова: сильноточная металлизация
интегральные микросхемы
металлизация интегральных микросхем
микроэлектроника
параметры металлизации микросхем
прибор контроля параметров металлизации
приборы контроля
Располагается в коллекциях: Королевские чтения

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Стр. 238.pdf57.21 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.