Отрывок: 3. ПРИМЕР ВЫПОЛНЕНИЯ ПРАКТИЧЕСКОЙ РАБОТЫ Выполним указанное задание на примере ПТ типа 2N3458. В программе OrCAD-PSPICE модели полевых транзисторов с р-п- переходом находятся в библиотеке JFET.olb. Примем Ес=20В. 1. Схема для получения передаточной характеристики (рис. 6): Для получения передаточной характеристики производится анализ по постоянному току с вариацией напряжения затвор-исток. Настройки про­ филя м...
Название : Разработка и исследование модели полевого транзистора в пакете САПР
Авторы/Редакторы : Муравьев А. Н.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (национальный исследовательский университет) (СГАУ)
Дата публикации : 2014
Издательство : [Изд-во СГАУ]
Библиографическое описание : Разработка и исследование модели полевого транзистора в пакете САПР [Электронный ресурс] : [метод. указания] / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т) (СГАУ) ; [сост. А. Н. Муравьев]. - Самара : [Изд-во СГАУ], 2014. - on-line
Аннотация : Изложена методика разработки и исследования модели полевого транзистора в пакете САПР OrCAD-PSPICE. Приведены методы оценки точности модели и тестирование в реальной схеме. Методические указания предназначены для студентов, обучающихся по специальностям 2
Используемые программы: Adobe Acrobat.
Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия).
Гриф.
Другие идентификаторы : RU/НТБ СГАУ/WALL/621.3/Р 177-297210
Ключевые слова: пакет САПР OrCAD-PSPICE
полевые транзисторы
полупроводниковые приборы
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
Муравьев А. Н. Разработка и исследование.pdffrom 1C3.3 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.