Отрывок: Она выражается соотношением√D = f(ξ /√D), которое имеет максималь- ное значение ξпр/√Dпр, выше которого уравнение теплового баланса ре- шения не имеет. Это значение соответствует условию теплового пробоя. Математически условие пробоя может быть выражено в виде: d(ξ /√D)/ d√D = 0. После подстановки функций ξ =f...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Латухина Н. В. | ru |
dc.contributor.author | Шалимова М. Б. | ru |
dc.contributor.author | Министерство образования и науки Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.coverage.spatial | вольтамперная характеристика p-n перехода | ru |
dc.coverage.spatial | тепловой пробой диэлектриков | ru |
dc.coverage.spatial | ферримагнетики | ru |
dc.coverage.spatial | поляризация | ru |
dc.coverage.spatial | полупроводниковые терморезисторы | ru |
dc.coverage.spatial | сегнетоэлектрики | ru |
dc.date.issued | 2016 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\346238 | ru |
dc.identifier.citation | Полупроводниковые и диэлектрические структуры для устройств микроэлектроники [Электронный ресурс] : [метод. указания] / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; сост. Н. В. Латухина, М. Б. Шалимова. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2016. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Гриф. | ru |
dc.description.abstract | Используемые программы: Adobe Acrobat. | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников Самар. ун-та (электрон. версия). | ru |
dc.description.abstract | Методические указания к лабораторным работам содержат материалы для подготовки к лабораторным работам по курсам «Физика полупроводниковых приборов» и «Физика диэлектриков». Методика проведения эксперимента и обработки данных дополнена кратким изложением т | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 564 Кб) | ru |
dc.publisher | Изд-во Самар. ун-та | ru |
dc.relation.isformatof | Полупроводниковые и диэлектрические структуры для устройств микроэлектроники [Электронный ресурс] : [метод. указания] | ru |
dc.title | Полупроводниковые и диэлектрические структуры для устройств микроэлектроники | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.33.29 | ru |
dc.subject.udc | 621.382(075) | ru |
dc.textpart | Она выражается соотношением√D = f(ξ /√D), которое имеет максималь- ное значение ξпр/√Dпр, выше которого уравнение теплового баланса ре- шения не имеет. Это значение соответствует условию теплового пробоя. Математически условие пробоя может быть выражено в виде: d(ξ /√D)/ d√D = 0. После подстановки функций ξ =f... | - |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Латухина Н.В. Полупроводниковые.pdf | 564.29 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.