Отрывок: Она выражается соотношением√D = f(ξ /√D), которое имеет максималь- ное значение ξпр/√Dпр, выше которого уравнение теплового баланса ре- шения не имеет. Это значение соответствует условию теплового пробоя. Математически условие пробоя может быть выражено в виде: d(ξ /√D)/ d√D = 0. После подстановки функций ξ =f...
Название : Полупроводниковые и диэлектрические структуры для устройств микроэлектроники
Авторы/Редакторы : Латухина Н. В.
Шалимова М. Б.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Дата публикации : 2016
Издательство : Изд-во Самар. ун-та
Библиографическое описание : Полупроводниковые и диэлектрические структуры для устройств микроэлектроники [Электронный ресурс] : [метод. указания] / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; сост. Н. В. Латухина, М. Б. Шалимова. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2016. - on-line
Аннотация : Гриф.
Используемые программы: Adobe Acrobat.
Труды сотрудников Самар. ун-та (электрон. версия).
Методические указания к лабораторным работам содержат материалы для подготовки к лабораторным работам по курсам «Физика полупроводниковых приборов» и «Физика диэлектриков». Методика проведения эксперимента и обработки данных дополнена кратким изложением т
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\346238
Ключевые слова: вольтамперная характеристика p-n перехода
тепловой пробой диэлектриков
ферримагнетики
поляризация
полупроводниковые терморезисторы
сегнетоэлектрики
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Латухина Н.В. Полупроводниковые.pdf564.29 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.