Отрывок: В полупроводниках между верхней границей валентной зоны Ev и нижней границей зоны проводимости Ес имеется интервал энергий АЕ3 = Ес — Еу . внутри которого отсутствуют возможные энергетиче­ ские состояния электронов - так называемая запрещенная зона. На рис. 4 приведена вероятность нахождения электронов в раз­ личных энергетических состояниях (распределение Ферми-Дирака) при Т>0. Видно, что в чистом полупроводнике уровень Ферми ЕР расположен вблизи середины запреще...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorРогачев Н. М.ru
dc.contributor.authorМаркелов А. А.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (национальный исследовательский университет)ru
dc.coverage.spatialэлектропроводность металловru
dc.coverage.spatialсопротивление металловru
dc.coverage.spatialсобственная проводимостьru
dc.coverage.spatialпримесная проводимостьru
dc.coverage.spatialпроводимость полупроводниковru
dc.date.issued2012ru
dc.identifierRU/НТБ СГАУ/WALL/53/И 889-547602ru
dc.identifier.citationИсследование зависимости сопротивления металла от температуры [Электронный ресурс] : [метод. указания к лаб. работе № 2-30] / М-во образования и науки РФ, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т) ; [сост. Н. М. Рогачев, А. А. Маркелов]. - Самара : [Изд-во СГАУ], 2012. - on-lineru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.ru
dc.description.abstractТруды сотрудников СГАУ(электрон. версия).ru
dc.format.extentЭлектрон. текстовые и граф. дан. (1 файл : 9,33 Мбайт)ru
dc.language.isorusru
dc.publisher[Изд-во СГАУ]ru
dc.relation.isformatofИсследование зависимости сопротивления металла от температуры [Текст] : [метод. указания к лаб. работе № 2-30]ru
dc.relation.isformatofИсследование зависимости сопротивления металла от температуры [Электронный ресурс] : [метод. указания к лаб. работе № 2-30]ru
dc.titleИсследование зависимости сопротивления металла от температурыru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.03.21ru
dc.subject.udc537(075)ru
dc.textpartВ полупроводниках между верхней границей валентной зоны Ev и нижней границей зоны проводимости Ес имеется интервал энергий АЕ3 = Ес — Еу . внутри которого отсутствуют возможные энергетиче­ ские состояния электронов - так называемая запрещенная зона. На рис. 4 приведена вероятность нахождения электронов в раз­ личных энергетических состояниях (распределение Ферми-Дирака) при Т>0. Видно, что в чистом полупроводнике уровень Ферми ЕР расположен вблизи середины запреще...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
Рогачев Н.М. Исследование зависимости.pdffrom 1C9.56 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.