Отрывок: Барьеры, возникающие на контактах металл-полупроводник, формируются механизмами диффузии и дрейфа носителей заряда, и в зависимости от соотношения величин работ выхода электрона из металла Ам и полупроводника Аs их энергетические диаграммы имеют два различных вида...
Название : Исследование вольт-амперной характеристики диода Шоттки [Электронный ресурс] : [метод. указания к лаб. работе]
Авторы/Редакторы : Колпаков В. А.
Колпаков А. И.
Кричевский С. В.
Федеральное агентство по образованию
Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (Национальный исследовательский университет)
Дата публикации : 2010
Издательство : Изд-во СГАУ
Аннотация : Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)
Используемые программы: Adobe Acrobat
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-ukazaniya/Issledovanie-voltampernoi-harakteristiki-dioda-Shottki-Elektronnyi-resurs-metod-ukazaniya-k-lab-rabote-53312
Другие идентификаторы : RU/НТБ СГАУ/WALL/СГАУ:6/И 889-041461
Ключевые слова: диод Шоттки
электронные приборы
полупроводниковые приборы
структура металл-проводник
Располагается в коллекциях: Методические указания

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
Колпаков В.А. Исследование ВАХ.pdffrom 1C497.42 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.