Отрывок: Основными и наиболее сложными в исполнении структурами интегральных микросхем (ИМС) - являются р-л-переходы, представляющие собой электропреобразовательные элементы, имеющие два вывода...
Название : Исследование параметров интегральных диодов [Электронный ресурс] : метод. указания к лаб. работе
Авторы/Редакторы : Колпаков А. И.
Куйбышевский авиационный институт им. С. П. Королева
Дата публикации : 1990
Аннотация : Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия).
Используемые программы: Adobe Acrobat.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-ukazaniya/Issledovanie-parametrov-integralnyh-diodov-Elektronnyi-resurs-metod-ukazaniya-k-lab-rabote-53849
Другие идентификаторы : RU/НТБ СГАУ/WALL/КуАИ:6(у)/И 889-839719
Ключевые слова: p-n переходы
биполярные транзисторы
интегральные диоды
полупроводниковые диоды
полупроводники
транзисторы
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
Колпаков А.И. Исследование параметров.pdffrom 1C13.31 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.