Отрывок: E Q ^ t 9 H 5 e F S r H ** r; r H gE, $ig€F[fiFg$g$[s$ H ; E$ rFga = Fs e S E H R E .u H R $* $f $$ ; $ gFE $ $ FpF u, ; $ E l s n ; f g aF rE ! H, g g H g n F H $ H E $ ; g fl q P r E H ; * Fg H Fpc g g g H E 3: r E,= $ : H g F H, E = H I H H**H 6;E 5 Fn-Ef 6gIf ;i;;;m *;$liFf $fi$ r I E E s 8 fl' g F, g H : : g H F$ ;; H fi i H * * E x F x s P " $; sr rE il; gs gSgsH s $I $$g€r$€ 3;i$; f€ fI$$ it 'ggFg$ il *c€ j' H [$cE$'f,FF;g-; s F- $ s r*$F F Fu .l C'l H H ...
Название : Исследование параметров интегральных диодов
Авторы/Редакторы : Колпаков А. И.
Куйбышевский авиационный институт им. С. П. Королева
Дата публикации : 1990
Библиографическое описание : Исследование параметров интегральных диодов [Электронный ресурс] : метод. указания к лаб. работе / Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; [сост. А. И. Колпаков]. - Куйбышев, 1990. - on-line
Аннотация : Используемые программы: Adobe Acrobat.
Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия).
Другие идентификаторы : RU/НТБ СГАУ/WALL/КуАИ:6(у)/И 889-839719
Ключевые слова: интегральные диоды
биполярные транзисторы
транзисторы
p-n переходы
полупроводниковые диоды
полупроводники
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
Колпаков А.И. Исследование параметров.pdf972.44 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.