Отрывок: У них один или оба слоя (обкладки) выполнены в процессе диффузии, поэтому их называют диффузионными. На рис. 10,б показана структура МОП-конденсатора. Ниж- ней обкладкой служит эмиттерный n+-слой. Основные параметры полупро- водниковых конденсаторов приведены в табл. 2. Преимуществом МОП-конденсаторов является то, что они работают при любой полярности напряжения. Недостатком является то, что они, как и диффузионные, являются нелинейными. Таблица ...
Название : Анализ конструкций полупроводниковых интегральных микросхем [Электронный ресурс] : [метод. указания]
Авторы/Редакторы : Пиганов М. Н.
Волков А. В.
Меркулов А. И.
Федеральное агентство по образованию
Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (Национальный исследовательский университет)
Дата публикации : 2010
Издательство : Изд-во СГАУ
Аннотация : Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)
Используемые программы: Adobe Acrobat
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-ukazaniya/Analiz-konstrukcii-poluprovodnikovyh-integralnyh-mikroshem-Elektronnyi-resurs-metod-ukazaniya-53920
Другие идентификаторы : RU/НТБ СГАУ/WALL/СГАУ:6/А 64-274631
Ключевые слова: биполярные транзисторы
биполярные полупроводниковые микросхемы
диоды
конденсаторы
методы изоляции элементов
резисторы
полупроводниковые микросхемы
Располагается в коллекциях: Методические указания

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
Пиганов М.Н. Анализ конструкций.pdffrom 1C460.96 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.