Отрывок: У них один или оба слоя (обкладки) выполнены в процессе диффузии, поэтому их называют диффузионными. На рис. 10,б показана структура МОП-конденсатора. Ниж- ней обкладкой служит эмиттерный n+-слой. Основные параметры полупро- водниковых конденсаторов приведены в табл. 2. Преимуществом МОП-конденсаторов является то, что они работают при любой полярности напряжения. Недостатком является то, что они, как и диффузионные, являются нелинейными. Таблица ...
Название : | Анализ конструкций полупроводниковых интегральных микросхем |
Авторы/Редакторы : | Пиганов М. Н. Волков А. В. Меркулов А. И. Федеральное агентство по образованию Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (Национальный исследовательский университет) |
Дата публикации : | 2010 |
Издательство : | [Изд-во СГАУ] |
Библиографическое описание : | Анализ конструкций полупроводниковых интегральных микросхем [Электронный ресурс] : [метод. указания] / Федер. агентство по образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (Нац. исслед. ун-т) ; [сост. М. Н. Пиганов и др.]. - Самара : [Изд-во СГАУ], 2010. - on-line |
Аннотация : | Используемые программы: Adobe Acrobat Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия) |
Другие идентификаторы : | RU/НТБ СГАУ/WALL/СГАУ:6/А 64-274631 |
Ключевые слова: | резисторы биполярные транзисторы биполярные полупроводниковые микросхемы конденсаторы методы изоляции элементов полупроводниковые микросхемы диоды |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Пиганов М.Н. Анализ конструкций.pdf | from 1C | 460.96 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.