Отрывок: Для устранения этой неопределенности в большинстве практических случа- 14 ев высокочастотные свойства (быстродействие) туннельного диода оценивают по увеличению отношения барп CI . Предельную частоту туннельного диода определяет величина ре- зонансной частоты паразитных колебани...
Название : Исследование статических характеристик туннельного диода [Электронный ресурс] : [метод. указания к лаб. работам по прогр. высш. образования]
Авторы/Редакторы : Колпаков А. И.
Колпаков В. А.
Кричевский С. В.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Дата публикации : 2016
Издательство : Изд-во Самар. ун-та
Библиографическое описание : Исследование статических характеристик туннельного диода [Электронный ресурс] : [метод. указания к лаб. работам по прогр. высш. образования] / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; сост.: А. И. Колпаков, В. А. Колпаков, С. В. Кричевский. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2016. - on-line
Аннотация : Используемые программы: Adobe Acrobat.
Гриф.
Труды сотрудников Самар. ун-та (электрон. версия).
Описываются физические явления, возникающие при туннельном прохождении электрона через потенциальный барьер, изложены принципы формирования электрических характеристик туннельных и обращенных диодов и методики построения электронных схем генераторов и уси
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\337707
Ключевые слова: вольтамперные характеристики
надбарьерная эмиссия
обращенные диоды
отрицательное дифференциальное сопротивление
эффект туннелирования
электронные схемы
туннельные диоды
туннельные p-n-переходы
термоэлектронная эмиссия
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Колпаков А.И. Исследование статистических.pdf466.95 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.