Отрывок: При этом в обратном токе появляется составляющая, пропорциональная ширине области объемного заряда и зависящая от напряжения обратного смещения. В этом случае на начальном участке ВАХ (кривая 2 на рис. 2) оказывается больше, чем это следует из соот- ношения (15). В отличие от sI генерационный ток пропорционален ni в первой степени: τ/ген dqsnI i≈ , (19) где d – ширина области...
Название : Исследование статических характеристик полупроводникового диода
Авторы/Редакторы : Колпаков А. И.
Колпаков В. А.
Кричевский С. В.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Дата публикации : 2016
Издательство : Изд-во Самар. ун-та
Библиографическое описание : Исследование статических характеристик полупроводникового диода [Электронный ресурс] : [метод. указ. к лаб. работам по прогр. высш. образования] / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; сост. А. И. Колпаков, В. А. Колпаков, С. В. Кричевский. - Самаpа : Изд-во Самар. ун-та, 2016. - on-line
Аннотация : Труды сотрудников Самар. ун-та (электрон. версия).
Приведены физические основы работы полупроводникового диода, механизмы формирования диффузионного, дрейфового токов, емкостных и частотныхсвойств p-n-перехода, теоретические сведения по анализу особенностей его конструкции. Описан порядок расчета парамет
Гриф.
Используемые программы: Adobe Acrobat.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\337711
Ключевые слова: барьерная емкость
p-n-переход
дрейфовый ток
полупроводниковые диоды
частотные свойства диода
дифференциальное сопротивление
диффузионная емкость
диффузионный ток
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Колпаков А.И. Исследование.pdf227.9 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.