Отрывок: То лщи на резистивного слоя с о с та в л я ет 10— 25 мкм. Т а б . а н ц а 2 П ар а м е тр ы не которых р е з ис ти в ных с л о е в Металлическая основа состава пасты Параметры P d — Ag Ru I г Удельное поверхностное сопротивление, О м /П 1— 10G 1— 107 1 — 107 ТКС, 1 0 - 6/°С 200— 500! 100— 200 0— 100 В качестве наполнителей диэлект рич еских паст д л я к о н де н са торов применя ют смеси кер амических м а те р и а ло в и флюсов, а т а к ж е стекла ферроэлек трическ...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Дмитриев В. Д. | ru |
dc.contributor.author | Пиганов М. Н. | ru |
dc.contributor.author | Калугина Т. С. | ru |
dc.contributor.author | Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР | ru |
dc.contributor.author | Куйбышевский авиационный институт им. С. П. Королева | ru |
dc.coverage.spatial | интегральные микросхемы | ru |
dc.coverage.spatial | материалы | ru |
dc.coverage.spatial | методические издания | ru |
dc.coverage.spatial | оборудование для производства | ru |
dc.coverage.spatial | рисунок толстых пленок | ru |
dc.date.accessioned | 2021-12-06 13:38:17 | - |
dc.date.available | 2021-12-06 13:38:17 | - |
dc.date.issued | 1988 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\470502 | ru |
dc.identifier.citation | Изучение технологии изготовления толстопленочных интегральных микросхем : [метод. указания к лаб. работе № 40]. - Текст : электронный / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; [сост.: В. Д. Дмитриев, М. Н. Пиганов, Т. С. Кулагина]. - Куйбышев, 1988. - 1 файл (393,05 Кб) | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Izuchenie-tehnologii-izgotovleniya-tolstoplenochnyh-integralnyh-mikroshem-93283 | - |
dc.description.abstract | В методических указаниях рассмотрены методы формирования рисунка толстых пленок, материалы для толстопленочных микросхем. Дано описание оборудования для получения толстых пленок, приведен порядок выполнения работы. Методические указания предназначены для студентов специальности 0705. | ru |
dc.description.abstract | Гриф. | ru |
dc.description.abstract | Используемые программы: Adobe Acrobat. | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников КуАИ (электрон. версия). | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 393,05 КБ) | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.relation.isformatof | Изучение технологии изготовления толстопленочных интегральных микросхем : [метод. указания к лаб. работе № 40]. - Текст : непосредственный | ru |
dc.title | Изучение технологии изготовления толстопленочных интегральных микросхем | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.03.05 | ru |
dc.subject.udc | 621.382.049.77.002(075) | ru |
dc.textpart | То лщи на резистивного слоя с о с та в л я ет 10— 25 мкм. Т а б . а н ц а 2 П ар а м е тр ы не которых р е з ис ти в ных с л о е в Металлическая основа состава пасты Параметры P d — Ag Ru I г Удельное поверхностное сопротивление, О м /П 1— 10G 1— 107 1 — 107 ТКС, 1 0 - 6/°С 200— 500! 100— 200 0— 100 В качестве наполнителей диэлект рич еских паст д л я к о н де н са торов применя ют смеси кер амических м а те р и а ло в и флюсов, а т а к ж е стекла ферроэлек трическ... | - |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Дмитриев В.Д. Изучение 1988.pdf | 393.05 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.