Отрывок: То лщи на резистивного слоя с о с та в л я ­ ет 10— 25 мкм. Т а б . а н ц а 2 П ар а м е тр ы не которых р е з ис ти в ных с л о е в Металлическая основа состава пасты Параметры P d — Ag Ru I г Удельное поверхностное сопротивление, О м /П 1— 10G 1— 107 1 — 107 ТКС, 1 0 - 6/°С 200— 500! 100— 200 0— 100 В качестве наполнителей диэлект рич еских паст д л я к о н де н са ­ торов применя ют смеси кер амических м а те р и а ло в и флюсов, а т а к ­ ж е стекла ферроэлек трическ...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorДмитриев В. Д.ru
dc.contributor.authorПиганов М. Н.ru
dc.contributor.authorКалугина Т. С.ru
dc.contributor.authorМинистерство высшего и среднего специального образования РСФСРru
dc.contributor.authorКуйбышевский авиационный институт им. С. П. Королеваru
dc.coverage.spatialинтегральные микросхемыru
dc.coverage.spatialматериалыru
dc.coverage.spatialметодические изданияru
dc.coverage.spatialоборудование для производстваru
dc.coverage.spatialрисунок толстых пленокru
dc.date.accessioned2021-12-06 13:38:17-
dc.date.available2021-12-06 13:38:17-
dc.date.issued1988ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\470502ru
dc.identifier.citationИзучение технологии изготовления толстопленочных интегральных микросхем : [метод. указания к лаб. работе № 40]. - Текст : электронный / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; [сост.: В. Д. Дмитриев, М. Н. Пиганов, Т. С. Кулагина]. - Куйбышев, 1988. - 1 файл (393,05 Кб)ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Izuchenie-tehnologii-izgotovleniya-tolstoplenochnyh-integralnyh-mikroshem-93283-
dc.description.abstractВ методических указаниях рассмотрены методы формирования рисунка толстых пленок, материалы для толстопленочных микросхем. Дано описание оборудования для получения толстых пленок, приведен порядок выполнения работы. Методические указания предназначены для студентов специальности 0705.ru
dc.description.abstractГриф.ru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.ru
dc.description.abstractТруды сотрудников КуАИ (электрон. версия).ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 393,05 КБ)ru
dc.language.isorusru
dc.relation.isformatofИзучение технологии изготовления толстопленочных интегральных микросхем : [метод. указания к лаб. работе № 40]. - Текст : непосредственныйru
dc.titleИзучение технологии изготовления толстопленочных интегральных микросхемru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.03.05ru
dc.subject.udc621.382.049.77.002(075)ru
dc.textpartТо лщи на резистивного слоя с о с та в л я ­ ет 10— 25 мкм. Т а б . а н ц а 2 П ар а м е тр ы не которых р е з ис ти в ных с л о е в Металлическая основа состава пасты Параметры P d — Ag Ru I г Удельное поверхностное сопротивление, О м /П 1— 10G 1— 107 1 — 107 ТКС, 1 0 - 6/°С 200— 500! 100— 200 0— 100 В качестве наполнителей диэлект рич еских паст д л я к о н де н са ­ торов применя ют смеси кер амических м а те р и а ло в и флюсов, а т а к ­ ж е стекла ферроэлек трическ...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Дмитриев В.Д. Изучение 1988.pdf393.05 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.