Отрывок: Свободные маски, используемые при изготовлении пленочных элементов и схем, должны удовлетворять следующим требованиям: иметь узкие прорези < (0 ,1 ми о точностью изготовления ± 0 ,0 0 5 ; прорези в масках должны иметь четкие контуры без шерохова­ тостей г.о кромке, которые были бы видны при 50-ти кратной увели­ чении; обладать достаточной жесткостью а упругость» и быть дост...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorВолков А. В.ru
dc.contributor.authorМинистерство высшего и среднего специального образования РСФСРru
dc.contributor.authorКуйбышевский авиационный институт им. С. П. Королеваru
dc.coverage.spatialгеоинформационные системы (ГИС)ru
dc.coverage.spatialметодические изданияru
dc.coverage.spatialпассивные элементы ГИСru
dc.coverage.spatialтермическое напыление в вакуумеru
dc.date.accessioned2021-12-02 15:07:48-
dc.date.available2021-12-02 15:07:48-
dc.date.issued1982ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\470498ru
dc.identifier.citationИзучение технологии изготовления пассивных элементов ГИС методом термического напыления в вакууме : метод. указания к лаб. работе № 32. - Текст : электронный / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; [сост. А. В. Волков]. - Куйбышев, 1982. - 1 файл (405,38 Кб)ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Izuchenie-tehnologii-izgotovleniya-passivnyh-elementov-GIS-metodom-termicheskogo-napyleniya-v-vakuume-93227-
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.ru
dc.description.abstractПредлагаются методы изучения технологическихпроцессов изготовления тонкопленочных резисторов, конденсаторов к проводников пассивных элементов гибридных ИС, а также анализируется связь технологического процесса напыления с параметрами тонкопленочных элементов. Рекомендуется студентам специальности 0705 при изучении курса "Конструкции и технология микросхем".ru
dc.description.abstractТруды сотрудников КуАИ (электрон. версия).ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 405,38 КБ)ru
dc.language.isorusru
dc.relation.isformatofИзучение технологии изготовления пассивных элементов ГИС методом термического напыления в вакууме : метод. указания к лаб. работе № 32. - Текст : непru
dc.titleИзучение технологии изготовления пассивных элементов ГИС методом термического напыления в вакуумеru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.33ru
dc.subject.udc621.382.049.77.002(075)ru
dc.textpartСвободные маски, используемые при изготовлении пленочных элементов и схем, должны удовлетворять следующим требованиям: иметь узкие прорези < (0 ,1 ми о точностью изготовления ± 0 ,0 0 5 ; прорези в масках должны иметь четкие контуры без шерохова­ тостей г.о кромке, которые были бы видны при 50-ти кратной увели­ чении; обладать достаточной жесткостью а упругость» и быть дост...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Волков А.В. Изучение технологии 1982.pdf405.38 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.