Отрывок: Свободные маски, используемые при изготовлении пленочных элементов и схем, должны удовлетворять следующим требованиям: иметь узкие прорези < (0 ,1 ми о точностью изготовления ± 0 ,0 0 5 ; прорези в масках должны иметь четкие контуры без шерохова тостей г.о кромке, которые были бы видны при 50-ти кратной увели чении; обладать достаточной жесткостью а упругость» и быть дост...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Волков А. В. | ru |
dc.contributor.author | Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР | ru |
dc.contributor.author | Куйбышевский авиационный институт им. С. П. Королева | ru |
dc.coverage.spatial | геоинформационные системы (ГИС) | ru |
dc.coverage.spatial | методические издания | ru |
dc.coverage.spatial | пассивные элементы ГИС | ru |
dc.coverage.spatial | термическое напыление в вакууме | ru |
dc.date.accessioned | 2021-12-02 15:07:48 | - |
dc.date.available | 2021-12-02 15:07:48 | - |
dc.date.issued | 1982 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\470498 | ru |
dc.identifier.citation | Изучение технологии изготовления пассивных элементов ГИС методом термического напыления в вакууме : метод. указания к лаб. работе № 32. - Текст : электронный / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; [сост. А. В. Волков]. - Куйбышев, 1982. - 1 файл (405,38 Кб) | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Izuchenie-tehnologii-izgotovleniya-passivnyh-elementov-GIS-metodom-termicheskogo-napyleniya-v-vakuume-93227 | - |
dc.description.abstract | Используемые программы: Adobe Acrobat. | ru |
dc.description.abstract | Предлагаются методы изучения технологическихпроцессов изготовления тонкопленочных резисторов, конденсаторов к проводников пассивных элементов гибридных ИС, а также анализируется связь технологического процесса напыления с параметрами тонкопленочных элементов. Рекомендуется студентам специальности 0705 при изучении курса "Конструкции и технология микросхем". | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников КуАИ (электрон. версия). | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 405,38 КБ) | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.relation.isformatof | Изучение технологии изготовления пассивных элементов ГИС методом термического напыления в вакууме : метод. указания к лаб. работе № 32. - Текст : неп | ru |
dc.title | Изучение технологии изготовления пассивных элементов ГИС методом термического напыления в вакууме | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.33 | ru |
dc.subject.udc | 621.382.049.77.002(075) | ru |
dc.textpart | Свободные маски, используемые при изготовлении пленочных элементов и схем, должны удовлетворять следующим требованиям: иметь узкие прорези < (0 ,1 ми о точностью изготовления ± 0 ,0 0 5 ; прорези в масках должны иметь четкие контуры без шерохова тостей г.о кромке, которые были бы видны при 50-ти кратной увели чении; обладать достаточной жесткостью а упругость» и быть дост... | - |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Волков А.В. Изучение технологии 1982.pdf | 405.38 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.