Отрывок: аs ж *• 1 3 :' :i о . :5. !!сп;:!П!!тг.’:” : л . 6 - прополомичо (1 — ияворки '.•(■лтлож'мото м пттп 'л л л ) ; и, г , о - лспточпмо; 5 . л, и - *!•!•’ ГЧ'.!'Ы!НО ( I - Tniv.ni., — НПГТОППТЛЛЪ, ■' - ТОКС’- по ни, 1 - toivobh.o nicpnmi) 2 . ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПАССИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ МЕТОДОМ ТЕРМИЧЕСКОГО ИСПАРЕНИЯ В ВАКУУМЕ Технологический процесс изготовления пассивных элементов...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorВолков А. В.ru
dc.contributor.authorДмитриев В. Д.ru
dc.contributor.authorКалугина Т. С.ru
dc.contributor.authorМинистерство высшего и среднего специального образования РСФСРru
dc.contributor.authorКуйбышевский авиационный институт им. С. П. Королеваru
dc.coverage.spatialвакуумная технологияru
dc.coverage.spatialгибридные интегральные микросхемыru
dc.coverage.spatialиспарителиru
dc.coverage.spatialметодические материалыru
dc.coverage.spatialпленкиru
dc.coverage.spatialтермическое вакуумное напылениеru
dc.coverage.spatialтонкопленочные элементыru
dc.date.accessioned2021-12-02 14:31:19-
dc.date.available2021-12-02 14:31:19-
dc.date.issued1990ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\470499ru
dc.identifier.citationИзучение технологии изготовления пассивных элементов ГИС методом термического напыления в вакууме : метод. указания к лаб. работе № 32. - Текст : электронный / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; [сост.: А. В. Волков, В. Д. Дмитриев, Т. С. Калугина]. - Куйбышев, 1990. - 1 файл (622,46 Кб)ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Izuchenie-tehnologii-izgotovleniya-passivnyh-elementov-GIS-metodom-termicheskogo-napyleniya-v-vakuume-93225-
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.ru
dc.description.abstractПриводятся сведения о материалах для испарителей,технологических процессах подготовки испарителей, навесок и масок к напылению. Описаны технологические процессы изготовления тонкопленочных резисторов, конденсаторов и проводников пассивных элементов РЛС, а также анализируется связь технологического процесса напыления с параметрами тонкопленочных элементов. Рекомендуются студентам специальности 23.03 при изучении курса "Конструкции и технология микросхем и микропроцессоров".ru
dc.description.abstractТруды сотрудников КуАИ (электрон. версия).ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 622,46 КБ)ru
dc.language.isorusru
dc.relation.isformatofИзучение технологии изготовления пассивных элементов ГИС методом термического напыления в вакууме : метод. указания к лаб. работе № 32. - Текст : непru
dc.titleИзучение технологии изготовления пассивных элементов ГИС методом термического напыления в вакуумеru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.01ru
dc.subject.udc621.382.049.77.002(075)ru
dc.textpartаs ж *• 1 3 :' :i о . :5. !!сп;:!П!!тг.’:” : л . 6 - прополомичо (1 — ияворки '.•(■лтлож'мото м пттп 'л л л ) ; и, г , о - лспточпмо; 5 . л, и - *!•!•’ ГЧ'.!'Ы!НО ( I - Tniv.ni., — НПГТОППТЛЛЪ, ■' - ТОКС’- по ни, 1 - toivobh.o nicpnmi) 2 . ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПАССИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ МЕТОДОМ ТЕРМИЧЕСКОГО ИСПАРЕНИЯ В ВАКУУМЕ Технологический процесс изготовления пассивных элементов...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Волков А.В. Изучение технологии 1990.pdf622.46 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.