Отрывок: На первом этапе при температуре 300...350°С происходит выжигание органической связки. Этот процесс проводят при медленном подъёме температуры, чтобы в плёнках не возникали сквозные отверстия, что особо нежелательно для диэлектрических слоев. Второй этап - спекание пасты проводят при более высоких температурах 700... 1000°С (в зависимости от типа паст), он более критичен к колебаниям температуры. Этот этап наиболее ответственен, так как происходящ ие при с...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorДмитриев В. Д.ru
dc.contributor.authorПиганов М. Н.ru
dc.contributor.authorМеркулов А. И.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королеваru
dc.coverage.spatialгибридные интегральные схемыru
dc.coverage.spatialинтегральные микросхемыru
dc.coverage.spatialметодические изданияru
dc.coverage.spatialполуавтомат трафаретной печатиru
dc.coverage.spatialтехнологические процессыru
dc.coverage.spatialтолстопленочные гибридные интегральные схемы (ГИМС)ru
dc.coverage.spatialтрафаретная печатьru
dc.date.accessioned2021-12-08 10:52:30-
dc.date.available2021-12-08 10:52:30-
dc.date.issued2002ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\470503ru
dc.identifier.citationИзучение технологического процесса изготовления толстопленочных гибридных интегральных микросхем : метод. указания к лаб. работе по курсу "Технол. процессы микроэлектроники". - Текст : электронный / М-во образования Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; сост. В. Д. Дмитриев, М. Н. Пиганов, А. И. Меркулов. - Самара, 2002. - 1 файл (451,25 Кб)ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Izuchenie-tehnologicheskogo-processa-izgotovleniya-tolstoplenochnyh-gibridnyh-integralnyh-mikroshem-93700-
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.ru
dc.description.abstractПриведены теоретические сведения по технологии изготовления толстоплёночных гибридных интегральных микросхем (ГИМС). Описаны основные узлы и блоки полуавтомата трафаретной печати типа ПТП-1, а также порядок работы на нём для приобретения практических навыков изготовления толстоплёночных ГИМС. Рекомендуются студентам специальности 20.08.00 при изучении дисциплины «Технологические процессы микроэлектроники».ru
dc.description.abstractТруды сотрудников СГАУ (электрон. версия).ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 451,25 КБ)ru
dc.language.isorusru
dc.relation.isformatofИзучение технологического процесса изготовления толстопленочных гибридных интегральных микросхем : метод. указания к лаб. работе по курсу "Технол. проru
dc.titleИзучение технологического процесса изготовления толстопленочных гибридных интегральных микросхемru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.01ru
dc.subject.udc621.382(075)ru
dc.textpartНа первом этапе при температуре 300...350°С происходит выжигание органической связки. Этот процесс проводят при медленном подъёме температуры, чтобы в плёнках не возникали сквозные отверстия, что особо нежелательно для диэлектрических слоев. Второй этап - спекание пасты проводят при более высоких температурах 700... 1000°С (в зависимости от типа паст), он более критичен к колебаниям температуры. Этот этап наиболее ответственен, так как происходящ ие при с...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Дмитриев В.Д. Изучение 2002.pdf451.25 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.