Отрывок: 2.2. Применение термического окисления для подгонки пленочных элементов Б результате термической обработки пленочных резисторов про­ исходит изменение сопротивления. Это явление может использоваться ■ Одля подгонки резисторов. При нагреве резистивной пленки на воздухе наблюдается необра­ тимое увеличение удельного сопротивления, что является следствием интенсификации окислительных процессов на поверхности пленки. Такой метод термообработки удобен тем, что эн...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorПиганов М. Н.ru
dc.contributor.authorМинистерство высшего и среднего специального образования РСФСРru
dc.contributor.authorКуйбышевский авиационный институт им. С. П. Королеваru
dc.coverage.spatialкремниевые пластиныru
dc.coverage.spatialметаллические пленкиru
dc.coverage.spatialметодические изданияru
dc.coverage.spatialполупроводникиru
dc.coverage.spatialтермическое окислениеru
dc.coverage.spatialтонкопленочные резисторыru
dc.date.accessioned2022-04-08 16:27:06-
dc.date.available2022-04-08 16:27:06-
dc.date.issued1982ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\478314ru
dc.identifier.citationИсследование процесса окисления тонких пленок : метод. указания к лаб. работе № 39. - Текст : электронный / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; [сост. М. Н. Пиганов]. - Куйбышев, 1982. - 1 файл (549,52 Кб)ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-processa-okisleniya-tonkih-plenok-96617-
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.ru
dc.description.abstractРассматривается схема образования окислов при термическом окислении полупроводников и металлических пленок; проводится групповая подгонка тонкопленочных резисторов термическим окислением. Предлагается определить диапазон и скорость подгонки, рассчитать оценки математического ожидания, разброса сопротивления резисторов по подложке. Окислением кремниевой пластины получить пленку SOz , определить ее толщину. Рекомендуется для студентов специальности 0705.ru
dc.description.abstractТруды сотрудников КуАИ (электрон. версия).ru
dc.language.isorusru
dc.relation.isformatofИсследование процесса окисления тонких пленок : метод. указания к лаб. работе № 39. - Текст : непосредственныйru
dc.titleИсследование процесса окисления тонких пленокru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.01ru
dc.subject.udc621.382.049.772(075)ru
dc.textpart2.2. Применение термического окисления для подгонки пленочных элементов Б результате термической обработки пленочных резисторов про­ исходит изменение сопротивления. Это явление может использоваться ■ Одля подгонки резисторов. При нагреве резистивной пленки на воздухе наблюдается необра­ тимое увеличение удельного сопротивления, что является следствием интенсификации окислительных процессов на поверхности пленки. Такой метод термообработки удобен тем, что эн...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Пиганов М.Н.Исследование процесса 1982.pdf549.52 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.