Отрывок: Отсюда можно заключить, что эффективная масса электрона в зоне проводимости различна для различных полупроводниковых материалов, и, следовательно, при про­ чих равных условиях, подвижности в них также будут различаться. Необхо­ димо отметить, что соотношение (7) получено без учёта распределения электронов по скоростям, поэтому его нельзя считать достаточно точным для вычисления. Более точное значение дрейфовой подвижности р,, необхо­ димо рассматривать с учетом статистического хар...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorКолпаков В. А.ru
dc.contributor.authorКолпаков А. И.ru
dc.contributor.authorФедеральное агентство по образованиюru
dc.contributor.authorСамарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королеваru
dc.coverage.spatialдиффузионный токru
dc.coverage.spatialдонорная примесьru
dc.coverage.spatialдрейфовая скоростьru
dc.coverage.spatialдрейфовый токru
dc.coverage.spatialдырочный токru
dc.coverage.spatialметодические изданияru
dc.coverage.spatialпримесная электропроводность полупроводниковru
dc.coverage.spatialпримесные полупроводникиru
dc.coverage.spatialсобственная проводимостьru
dc.coverage.spatialсобственные полупроводникиru
dc.coverage.spatialтерморезисторыru
dc.date.accessioned2022-05-31 09:57:47-
dc.date.available2022-05-31 09:57:47-
dc.date.issued2009ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\478852ru
dc.identifier.citationИсследование параметров терморезистивного эффекта в твердом теле : метод. указания к лаб. работе / Федер. агентство по образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; сост. В. А. Колпаков, А. И. Колпаков. - Самара : Изд-во СГАУ, 2009. - 1 файл (2,18 Мб). - Текст : электронныйru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-parametrov-termorezistivnogo-effekta-v-tverdom-tele-97685-
dc.description.abstractГриф.ru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.ru
dc.description.abstractОписывается физический механизм возникновения терморезистивного явления в кремнии в диапазоне температур 23-100°С, изложены принципы формировании электрических характеристик терморезистора и схем его включения в электронные схемы. Предназначены для студентов специальности 210.201.00 "Проектирование и технология радиоэлектронных средств". Выполнены на кафедрах "Электронные системы и устройства" и "Техническая кибернетика".ru
dc.description.abstractТруды сотрудников СГАУ (электрон. версия).ru
dc.language.isorusru
dc.publisherИзд-во СГАУru
dc.relation.isformatofИсследование параметров терморезистивного эффекта в твердом теле : метод. указания к лаб. работеru
dc.titleИсследование параметров терморезистивного эффекта в твердом телеru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.33.29ru
dc.subject.udc621.382(075)ru
dc.textpartОтсюда можно заключить, что эффективная масса электрона в зоне проводимости различна для различных полупроводниковых материалов, и, следовательно, при про­ чих равных условиях, подвижности в них также будут различаться. Необхо­ димо отметить, что соотношение (7) получено без учёта распределения электронов по скоростям, поэтому его нельзя считать достаточно точным для вычисления. Более точное значение дрейфовой подвижности р,, необхо­ димо рассматривать с учетом статистического хар...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Колпаков В.А. Исследование параметров 2009.pdf2.23 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.