Отрывок: Изоляцию в данном случае осуществляют путем сочетания боковых диэлектрических слоев и обратносмещенных р -л -п ереходов, что позволяет использовать преиму­ щ ества первого и второго методов изоляции. Изоляция обратносмешенным p-/i -переходом использует в к ачест­ ве изолирующих областей р -л -переходы, полученные диффузией, ион­ ным легированием, включенные навстречу друг другу и смещенные в об­ ратном направлении. На базе этого метода реализован ряд конкретных техно...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorПиганов М. Н.ru
dc.contributor.authorДмитриев В. Д.ru
dc.contributor.authorЛеднев М. А.ru
dc.contributor.authorГосударственный комитет РСФСР по делам науки и высшей школыru
dc.contributor.authorСамарский авиационный институт им. С. П. Королеваru
dc.coverage.spatialp-n переходыru
dc.coverage.spatialбиполярные транзисторыru
dc.coverage.spatialдиффузияru
dc.coverage.spatialизоляцияru
dc.coverage.spatialинтегральные микросхемыru
dc.coverage.spatialконденсаторыru
dc.coverage.spatialметодические изданияru
dc.coverage.spatialокислениеru
dc.coverage.spatialпланарная технологияru
dc.coverage.spatialрезисторru
dc.coverage.spatialфотолитографияru
dc.date.accessioned2022-03-24 09:40:20-
dc.date.available2022-03-24 09:40:20-
dc.date.issued1991ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\476804ru
dc.identifier.citationИсследование конструкций полупроводниковых биполярных интегральных микросхем : метод. указания к лаб. работе. - Текст : электронный / Гос. ком. РСФСР по делам науки и высш. шк., Самар. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; сост. М. Н. Пиганов, В. Д. Дмитриев, М. А. Леднев. - Самара, 1991. - 1 файл (415,96 Кб)ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-konstrukcii-poluprovodnikovyh-bipolyarnyh-integralnyh-mikroshem-96366-
dc.description.abstractДается анализ конструктивно-технологических особенностей полупроводниковых интегральных микросхем, их элементов, методов изоляции и структуры. Предлагается определить метод изоляции элементов изучаемых интегральных микросхем, составить схему электрическую принципиальную и топологический чертеж, рассчитать степень интеграции и определить плотность упаковки элементов .ru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.ru
dc.description.abstractТруды сотрудников САИ (электрон. версия).ru
dc.language.isorusru
dc.relation.isformatofИсследование конструкций полупроводниковых биполярных интегральных микросхем : метод. указания к лаб. работе. - Текст : непосредственныйru
dc.titleИсследование конструкций полупроводниковых биполярных интегральных микросхемru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.33ru
dc.subject.udc621.382.049.774(075)ru
dc.textpartИзоляцию в данном случае осуществляют путем сочетания боковых диэлектрических слоев и обратносмещенных р -л -п ереходов, что позволяет использовать преиму­ щ ества первого и второго методов изоляции. Изоляция обратносмешенным p-/i -переходом использует в к ачест­ ве изолирующих областей р -л -переходы, полученные диффузией, ион­ ным легированием, включенные навстречу друг другу и смещенные в об­ ратном направлении. На базе этого метода реализован ряд конкретных техно...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Пиганов М.Н. Исследование 1991.pdf415.96 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.