Отрывок: е . с £ = $ . Тогда Р а ’ т .е . величину р а можно непосредственно измерить. Измерение не представляет никаких трудностей, если выполняется закон Ома. Поверх­ ностное сопротивление f ia зависит от объемного удельного сопротив­ ления резистивного слоя и толщины пленки, т .е . Л = £ и измеряется в Ом или Ом/кв. 9 Обратимые изменения величины сопротивления ...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorБуренин П. В.ru
dc.contributor.authorВолков А. В.ru
dc.contributor.authorМинистерство высшего и среднего специального образования РСФСРru
dc.contributor.authorКуйбышевский авиационный институт им. С. П. Королеваru
dc.coverage.spatialдиэлектрические пленкиru
dc.coverage.spatialметодические изданияru
dc.coverage.spatialобразование пленокru
dc.coverage.spatialрезистивные пленкиru
dc.coverage.spatialрост пленокru
dc.coverage.spatialтонкопленочные конденсаторы (ТПК)ru
dc.coverage.spatialэлектронные процессы в тонких пленкахru
dc.date.accessioned2022-03-25 10:52:01-
dc.date.available2022-03-25 10:52:01-
dc.date.issued1983ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\478038ru
dc.identifier.citationИсследование электрофизических свойств пленочных структур : метод. указания к лаб. работе № 3. - Текст : электронный / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; [сост. П. В. Буренин, А. В. Волков]. - Куйбышев, 1983. - 1 файл (1,82 Мб)ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-elektrofizicheskih-svoistv-plenochnyh-struktur-96381-
dc.description.abstractГриф.ru
dc.description.abstractИзучаются механизмы образования и роста пленок, проводится их классификация. Анализируются также электронные процессы в тонких пленках: механизмы переноса зарядов в структуре металл-диэлектрик-металл; зависимости удельного сопротивления и температурного коэффициента сопротивления от толщины резистивных пленок; типы поляризации и диэлектрические потери в диэлектрических пленках. Исследуется электрофизические параметры резистивных пленок, ВАХ МДМ структур и диэлектрические потери в тонкопленочных конденсаторах в зависимости от температуры и толщины пленок. Рекомендуется для студентов специальности 0701.ru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.ru
dc.description.abstractТруды сотрудников КуАИ (электрон. версия).ru
dc.language.isorusru
dc.relation.isformatofИсследование электрофизических свойств пленочных структур : метод. указания к лаб. работе № 3. - Текст : непосредственныйru
dc.titleИсследование электрофизических свойств пленочных структурru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.01ru
dc.subject.udc621.38(075)ru
dc.subject.udc621.382 (075)ru
dc.textpartе . с £ = $ . Тогда Р а ’ т .е . величину р а можно непосредственно измерить. Измерение не представляет никаких трудностей, если выполняется закон Ома. Поверх­ ностное сопротивление f ia зависит от объемного удельного сопротив­ ления резистивного слоя и толщины пленки, т .е . Л = £ и измеряется в Ом или Ом/кв. 9 Обратимые изменения величины сопротивления ...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Буренин П.В. Исследование электрофизических свойств 1983.pdf1.87 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.