Отрывок: Одним из главных отличий от реальных схем является источник управляющего напряжения. На практике, конечно, нулевое внутреннее сопротивление невозможно. Установите внутреннее сопротивление источника V2, равное 50 Ом (ти- повой импеданс источников сигналов). Это можно сделать двумя способами: изменить внутреннее сопротивление в окне параметров источника напряже- ния или добавить в цепь дополнительный резистор. Выберем второй способ (рис. 8), так как в первом случае...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorКудрявцев И. А.ru
dc.contributor.authorКорнилин Д. В.ru
dc.contributor.authorМякинин О. О.ru
dc.contributor.authorМатвеева И. А.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.coverage.spatialметодические указанияru
dc.coverage.spatialполевые транзисторы с изолированным затворомru
dc.coverage.spatialполевые транзисторы с индуцированным каналомru
dc.coverage.spatialэлектронные компоненты ПТru
dc.coverage.spatialэлектронные ключи на полевых транзисторах (ПТ)ru
dc.date.issued2020ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\452166ru
dc.identifier.citationЭлектронные ключи на транзисторах MOSFET : метод. указания к лаб. работе. - Текст : электронный / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; сост.: И. А. Кудрявцев, Д. В. Корнилин, О. О. Мякинин, И. А. Матвеева. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2020. - 1 файл (1,23 Мб)ru
dc.description.abstractГриф.ru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.ru
dc.description.abstractВ методических указаниях исследуются особенности электронных ключей на базе полевых транзисторов с изолированным затвором и индуцированным каналом. Рассматриваются вопросы выбора электронных компонентов, оценки быстродействия и энергопотребления. Приведенru
dc.description.abstractТруды сотрудников Самар. ун-та (электрон. версия).ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 1,23 МБ)ru
dc.language.isorusru
dc.publisherИзд-во Самар. ун-таru
dc.titleЭлектронные ключи на транзисторах MOSFETru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.59ru
dc.subject.udc621.374(075)ru
dc.subject.udc621.382.3(075)ru
dc.textpartОдним из главных отличий от реальных схем является источник управляющего напряжения. На практике, конечно, нулевое внутреннее сопротивление невозможно. Установите внутреннее сопротивление источника V2, равное 50 Ом (ти- повой импеданс источников сигналов). Это можно сделать двумя способами: изменить внутреннее сопротивление в окне параметров источника напряже- ния или добавить в цепь дополнительный резистор. Выберем второй способ (рис. 8), так как в первом случае...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Кудрявцев И.А. Электронные ключи на транзисторах 2020.pdf1.27 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.