Отрывок: 10 . По лу пр ов од ни ко вы е ко нд ен са то ры : а - ди фф уз ио нн ый , б - МО И Преимуществом МОП-конденсаторов является то, что они работают при любой полярности напряжения. Недостатком является то, что они, как и диффузионные, являются нелинейными. 5. О п и с а н и е л а б о р а т о р н о й у с т а н о в к и Лабораторная установка содержит (гигроскопы МБС-9, МИИ-4 и набор исследуемых биполярных микросхем. 6. П о р я д о к в ы п . о л ...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorВолков А. В.ru
dc.contributor.authorПиганов М. Н.ru
dc.contributor.authorМинистерство высшего и среднего специального образования РСФСРru
dc.contributor.authorКуйбышевский авиационный институт им. С. П. Королеваru
dc.coverage.spatialконструкции микросхемru
dc.coverage.spatialуниполярные интегральные микросхемыru
dc.coverage.spatialметоды изоляцииru
dc.coverage.spatialбиполярные микросхемыru
dc.coverage.spatialструктуры микросхемru
dc.coverage.spatialметодические указанияru
dc.coverage.spatialполупроводниковые интегральные микросхемыru
dc.date.issued1982ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\439277ru
dc.identifier.citationАнализ конструкций полупроводниковых интегральных микросхем : метод. указания к лаб. работе 37 : занятия 1, 2. - Текст : электронный / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; сост. : А. В. Волков, М. Н. Пиганов. - Куйбышев, 1982. - 1 файл (2,91 Мб)ru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.ru
dc.description.abstractТруды сотрудников Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева (электрон. версия).ru
dc.description.abstractДаётся анализ конструкций полупроводниковых биполярныхи униполярных микросхем, их элементов, методов изоляции, структуры. Предлагается определить метод изоляции элементов изучаемых микросхем, воспроизвести топологический чертёж общего вила, структуру кристалла, принципиальную электрическую схему, схему технологического процесса изготовления микросхем, рассчитать степень интеграции и определить плотность упаковки элементов.ru
dc.language.isorusru
dc.relation.isformatofАнализ конструкций полупроводниковых интегральных микросхем : метод. указания к лаб. работе 37 : занятия 1, 2. - Текст : непосредственныйru
dc.titleАнализ конструкций полупроводниковых интегральных микросхемru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.33.31ru
dc.subject.udc621.382.049.774(075)ru
dc.textpart10 . По лу пр ов од ни ко вы е ко нд ен са то ры : а - ди фф уз ио нн ый , б - МО И Преимуществом МОП-конденсаторов является то, что они работают при любой полярности напряжения. Недостатком является то, что они, как и диффузионные, являются нелинейными. 5. О п и с а н и е л а б о р а т о р н о й у с т а н о в к и Лабораторная установка содержит (гигроскопы МБС-9, МИИ-4 и набор исследуемых биполярных микросхем. 6. П о р я д о к в ы п . о л ...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Волков А.В. Анализ конструкций полупроводниковых 1982.pdf2.98 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.