Отрывок: Наличие трещин объясняется различием К'ГР кремния и алюминия при увеличении глубины залегания р—п перехода. ипр, 6 Рис. 1. Зависимость прямого падения напряжения диодов Д226Б от времени при работе их в режимах: |_г7обр=400 *■ 7выпр=900 ма- Т=20±5Х; 2- иобр=400 в' /выпр=30° •*|а' Т=150±2°С; 3- ио6р=4°0 »• 7выпр=300 ма- Т=20±5°С' У некоторых переходов на фронте рекристаллизации наблюда­ лись нерегулярные выступы, которые могут быть участками боль­ ших ме...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorАфанасьев Г. Г.ru
dc.contributor.authorПахомов В. В.ru
dc.contributor.authorПерфилов Г. В.ru
dc.coverage.spatialвнедрение эффективных технологийru
dc.coverage.spatialвиды отказовru
dc.coverage.spatialдиоды типа Д226Бru
dc.coverage.spatialметодика исследованийru
dc.coverage.spatialоценка надежностиru
dc.coverage.spatialметод сплавления в вакуумеru
dc.coverage.spatialсплавные кремниевые диодыru
dc.coverage.spatialрезультаты испытанийru
dc.coverage.spatialрасчет численных показателейru
dc.creatorАфанасьев Г. Г., Пахомов В. В., Перфилов Г. В.ru
dc.date.issued1974ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\536444ru
dc.identifier.citationАфанасьев, Г. Г. Оценка надежности сплавных кремниевых диодов по результатам испытаний в различных электрических и температурных режимах / Г. Г. Афанасьев, В. В. Пахомов, Г. В. Перфилов // Исследования по акустике, электрофизике и радиоэлектронике : межвуз. сб. / М-во высш. и сред.спец. образования РСФСР, Куйбышев.авиац. ин-т им. С. П. Королева ; редкол. : Г. В. Абрамов (отв. ред.) [и др.]. - Куйбышев : [КуАИ], 1973-Вып. 2. - 1974. - С. 115-121.ru
dc.language.isorusru
dc.relation.ispartofИсследования по акустике, электрофизике и радиоэлектронике : межвуз. сб. - Текст : электронныйru
dc.sourceИсследования по акустике, электрофизике и радиоэлектронике. - Вып. 2ru
dc.titleОценка надежности сплавных кремниевых диодов по результатам испытаний в различных электрических и температурных режимахru
dc.typeTextru
dc.citation.epage121ru
dc.citation.spage115ru
dc.textpartНаличие трещин объясняется различием К'ГР кремния и алюминия при увеличении глубины залегания р—п перехода. ипр, 6 Рис. 1. Зависимость прямого падения напряжения диодов Д226Б от времени при работе их в режимах: |_г7обр=400 *■ 7выпр=900 ма- Т=20±5Х; 2- иобр=400 в' /выпр=30° •*|а' Т=150±2°С; 3- ио6р=4°0 »• 7выпр=300 ма- Т=20±5°С' У некоторых переходов на фронте рекристаллизации наблюда­ лись нерегулярные выступы, которые могут быть участками боль­ ших ме...-
Располагается в коллекциях: Исследования по акустике

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Стр.-115-121.pdf238.19 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.