Отрывок: Искусственный интеллект 67 042412 водорода, соответственно. Электроды были нанесены с помощью магнетронного распыления. Верхний электрод Pt был нанесен через теневую маску и имел площадь 0.0360 ± 0.0015 мм2. Исследование потенциации устройств проводилось с использованием параметрического анализатора Kethly- 4200SCS. Импульсы подавались на верхний электрод со встроенной платы генератора импульсов 4205-PG2, при этом нижний электрод прибора был заземлен. Сигнал вышедший с уст...
Название : Влияние амплитуды импульса на линейность обновления веса в мемристорах на основе оксида гафния
Авторы/Редакторы : Пермякова О. О.
Рогожин А. Е.
Мяконьких А. В.
Смирнова Е. А.
Руденко К. В.
Дата публикации : 2022
Библиографическое описание : Влияние амплитуды импульса на линейность обновления веса в мемристорах на основе оксида гафния / О. О. Пермякова, А. Е. Рогожин, А. В. Мяконьких, Е. А. Смирнова, К. В. Руденко // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2022) : сб. тр. по материалам VIII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 23 - 27 мая) : в 5 т. / М-во науки и образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2022Т. 4: Искусственный интеллект / под ред. А. В. Никонорова. - 2022. - С. 042312.
Аннотация : Линейность изменения проводимости мемристора влияет на точность обучения аналоговых нейроморфных систем. Обычно линейности изменения веса добиваются за счет изменения формы сигнала, но это требует включения в аналоговую цепь дополнительной переферии. В работе рассмотрено влияние амплитуды импульса сигнала на потенциацию мемристора на основе оксида гафния. Показано, что при уменьшении модуля амплитуды импульса увеличивается линейность изменения проводимости прибора. Также показано, что существует напряжение при котором проводимость изменяется наилучшим образом.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\491239
Ключевые слова: резистивные переключения
мемристоры
нейроморфные системы
потенциация
оксиды гафния
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
ИТНТ-2022. Том 4. Искусственный интеллект/978-5-7883-1792-2_2022-042312.pdf859.82 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.