Отрывок: In the structures p-(InSb:Mn)/n-InSb represented at the inset of Fig. 5 both the electrical contacts are located in the heterostructure plane. As seen from Fig. 5, when the direction of the field H is changed in the film plane, the I-V curves differ, which may be due to the difference in the magnetoresistance of the p-film (96% InSb + 4% MnSb) for different mutual orient...
Название : Thin films of semiconductors for magneto-operated diodes and memristors
Авторы/Редакторы : Novodvorsky, O.A.
Parshina, L.S.
Lotin, A.A.
Rylkov, V.V.
Khramova, O.D.
Mikhalevsky, V.A.
Cherebylo, E.A.
Panchenko, V.Ya.
Ключевые слова : PLD method
thin films of VO2
TiO2
InSb: Mn
memristive effect in Au/VO2/VO2-x/Au and Au/TiO2/TiO2-x/Au heterostructures
giant magnetoresistance of p-(InSb:Mn)/n-InSb diode
Дата публикации : 2017
Издательство : Новая техника
Библиографическое описание : Novodvorsky O.A. Thin films of semiconductors for magneto-operated diodes and memristors / O.A. Novodvorsky, L.S. Parshina, A.A. Lotin, V.V. Rylkov, O.D. Khramova, V.A. Mikhalevsky, E.A. Cherebylo, V.Ya. Panchenko // Сборник трудов III международной конференции и молодежной школы «Информационные технологии и нанотехнологии» (ИТНТ-2017) - Самара: Новая техника, 2017. - С. 162-168.
Аннотация : The thin films of VO2, TiO2, InSb:Mn, and the heterostructures on their basis have been produced by the PLD method. The memristive effect has been revealed in the heterostructures of Au/VO2/VO2-x/Au, and Au/TiO2/TiO2-x/Au. The value of x was varied during the structure growth by changing the oxygen pressure. The dependence of the I-V curves of the diode heterostructure p-(InSb:Mn)/n-InSb on the magnetic field orientation both in the plane of the structure and perpendicular to it has been revealed. The diode current in the field 0,15T perpendicular to the diode plane decreased almost by a factor of 9, that is indicative of the effect of giant magnetoresistance of the p-(InSb:Mn)/n-InSb diode.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Thin-films-of-semiconductors-for-magnetooperated-diodes-and-memristors-63638
Другие идентификаторы : Dspace\SGAU\20170505\63638
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
paper 37_162-168.pdfОсновная статья775.48 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.