Отрывок: It can be seen that the ZnO NRs underwent a morphological evolution with respect to precursor concentration. When the concentration was of 0.025 M, both the lateral growth and vertical growth occur. It is due to the big lattice mismatch between ZnO and the copper layer of the PCB substrate. When the equimolar aqueous solution was of 0.08 M, ZnO NRs can grow vertically on the substrate. This is probably attributed to...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorMai H. H.ru
dc.coverage.spatialоксид цинкаru
dc.coverage.spatialоптоэлектронные устройстваru
dc.coverage.spatialподложки печатных платru
dc.coverage.spatialполупроводниковые наноструктурыru
dc.creatorMai H. H.ru
dc.date.accessioned2020-10-07 09:24:15-
dc.date.available2020-10-07 09:24:15-
dc.date.issued2020ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\441459ru
dc.identifier.citationMai, H. H. The influence of precursor concentration on the crystallinity and morphology of ZnO nanorods grown on printed circuit board substrate / H. H. Mai // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020) : сб. тр. по материалам VI Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 26-29 мая) : в 4 т. - Тек / М-во науки и образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН. - 2020. - Т. 1. - С. 138-142ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/The-influence-of-precursor-concentration-on-the-crystallinity-and-morphology-of-ZnO-nanorods-grown-on-printed-circuit-board-substrate-85767-
dc.language.isoengru
dc.relation.ispartofИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020) : сб. тр. по материалам VI Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 26-29 мая) : в 4 т. - Текru
dc.sourceИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020). - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоникаru
dc.titleThe influence of precursor concentration on the crystallinity and morphology of ZnO nanorods grown on printed circuit board substrateru
dc.typeTextru
dc.citation.epage142ru
dc.citation.spage138ru
dc.citation.volume1ru
dc.textpartIt can be seen that the ZnO NRs underwent a morphological evolution with respect to precursor concentration. When the concentration was of 0.025 M, both the lateral growth and vertical growth occur. It is due to the big lattice mismatch between ZnO and the copper layer of the PCB substrate. When the equimolar aqueous solution was of 0.08 M, ZnO NRs can grow vertically on the substrate. This is probably attributed to...-
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
ИТНТ-2020_том 1-138-142.pdf411.09 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.