Отрывок: 2-0.3 нм на градус. Это позволяет системе стабилизации контролировать этот процесс и восстанавливать температурный режим при необходимости. При больших резких температурных эффектах или увеличении тока, которое Компьютерная оптика и нанофотоника VII Международная конференция и молодёжная школа «Информационные технол...
Название : Разработка методики для обеспечения стабильности параметров импульсного и непрерывного излучения в лазерных системах с полупроводниковой накачкой
Авторы/Редакторы : Гайссер З. С.
Абдурахманова С. Р.
Бухаров Г. Д.
Давыдов В. В.
Дата публикации : 2021
Библиографическое описание : Разработка методики для обеспечения стабильности параметров импульсного и непрерывного излучения в лазерных системах с полупроводниковой накачкой. - Т / З. С. Гайссер, С. Р. Абдурахманова, Г. Д. Бухаров, В. В. Давыдов // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2021) : сб. тр. по материалам VII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 20-24 сент.) : [в 3 т.]. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изображений РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника РАН. - 2021. - Т. 1. - С. 011042
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\467133
Ключевые слова: стабильность параметров
полупроводниковая накачка лазера
надежность работы
методика контроля параметров
лазерные диоды
импульсное лазерное излучение
диодные драйверы питания
непрерывное лазерное излучение
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
56paper011042.pdf549.51 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.